超寬帶隙半導體的研究契合國家發展戰略，對于我國搶占技術制高點、掌握國際競爭主導權具有重要意義，尤其是以金剛石為代表的超寬禁帶半導體材料具有獨特優點，是對第三代寬禁帶半導體產業的完善和堅強補充。

 

　　超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力。

 

　　2017年11月1日-3日，第三代半導體產業在中國地區的年度盛會，2017國際第三代半導體論壇（IFWS2017）將在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。并與第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2017）同期舉行。本屆會議由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和中關村科技園區順義園管理委員會主辦，得到科技部、發改委、工信部、北京政府等相關部門大力支持。

 

　　作為全球性、高層次的綜合性論壇。論壇全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。

 

　　其中，“超寬禁帶半導體及其它新型半導體材料”分會作為論壇六大技術分會之一，將重點關注超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用，聚焦超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新應用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。

 

　　以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。分會著重研討超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用等內容，旨在搭建產業、學術、資本的高質量交流平臺，共同探討超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。

 

　　分會邀請國內外知名專家參加本次會議，呈現超寬帶半導體及其它新型寬禁帶半導體材料與器件研究應用的最新迚展。其中，中科院微電子所教授、中國科學院院士劉明和廈門大學校長，南京大學教授張榮將聯合坐鎮擔任分會主席。

 

　　其中，劉明院士長期致力于微電子科學技術領域的研究，在存儲器模型機理、材料結構、核心共性技術和集成電路的微納加工等方面做出了系統、創造性貢獻。代表性成果包括：建立了阻變存儲器（RRAM）物理模型，提出并實現高性能RRAM和集成的基礎理論和關鍵技術方法，產生重要國際影響。拓展了新型閃存材料和結構體系，提出新的可靠性表征技術、失效模型和物理機理，為存儲器產業發展提供關鍵理論和技術基礎。她發表SCI收錄論文250多篇，SCI他引（劉明或合作者均視為自引）超過2800次，6篇論文入選ESI高被引論文榜，兩項工作列入2013年ITRS（國際半導體發展路線圖）、多項工作作為典型進展被寫入15本著作和40篇綜述中。在本領域重要國際會議做邀請報告30多次。授權發明專利180件（含美國授權專利7件），主要專利轉讓/許可到多家重要集成電路企業。

 

　　同時，西安交通大學王宏興，山東大學教授、晶體材料研究所所長、晶體材料國家重點實驗室主任陶緒堂，國家杰出青年基金和中科院“百人計劃”獲得者、同濟大學教授徐軍將擔任分會委員，共同為分會提供堅持的支持。其中，王宏興教授在III-V族半導體薄膜外延生長及發光器件，大面積金剛石襯底及高質量金剛石薄膜外延生長，碳納米場致發射陰極、場致發射光源及其他場致發射電子器件，MOCVD設計開發、特殊直流CVD設計開發、微波等離子體CVD的設計開發等領域做出了許多創新性工作。在Carbon、Applied Physics Letters、Scientific Reports、Applied Surface Science、Diam. Relat. Mater等期刊發表SCI論文70余篇，申請和獲授權的中國、日本、美國、PCT專利100余項。目前研究領域包括寬禁帶半導體高溫、高效、大功率微波器件、電力電子器件、發光器件的研究；大面積、高質量寬禁帶半導體襯底的研究；電子器件級高質量寬禁帶半導體單晶薄膜及摻雜方法的研究；基于寬禁帶半導體的傳感器和成像探測器的研究；新型化學氣相沉積（CVD）系統等關鍵設備的研制；金剛石MEMS結構與器件等。

 

　　徐軍教授主要從事激光與光學晶體研究，包括激光晶體、超寬禁帶半導體晶體、晶體生長科學與技術等。作為項目負責人，先后主持國家級課題20余項，是國家“九五”、“十五”國家“863”新材料項目、中科院重大項目和國防重大專項的項目負責人。發表論文500余篇，申請發明專利數十項。出版了《激光材料科學與技術前沿》《摻鐿激光晶體材料》等6部著作，并先后獲得2003年國家科技進步二等獎、2001年和2004年上海市科技進步一等獎等多個獎項。

 

　　同時，廣西大學物理科學與工程技術學院杰出教授馮哲川、電子科技大學教授劉興釗及日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA等業界知名專家將做特邀報告，分享各自領域的最新研究進展。其中，馮哲川教授從事于第三代半導體研發，碳化硅已33年和III族氮化物已21年，主要研究方向和領域著重于寬能隙半導體的多學科材料研究及奈米器件制程及研發，金屬氧化物化學氣相外延和其他技術長晶及研究，表面科學，同步輻射，多學科檢測技術在光學/電子材料/結構的應用，計算機理論仿真寬能隙半導體及奈米結構之光學和材料特性。

 

　　此外，還有來自電子科技大學等眾多國內外高校、科研機構的嘉賓將帶來更多的精彩紛呈的報告。

 

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