第三代半導體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁帶氧化物，具備擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，正在成為全球半導體產業新的戰略高地。

 

　　為助力中國第三代半導體行業發展提質增效，更好地整合國內外第三代半導體行業的優勢資源，實現中國半導體行業迅速崛起。在科技部、發改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）將于2017年11月1-3日與第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）同期在北京首都機場希爾頓酒店召開。

 

　　其中， “碳化硅材料與器件分會” 作為論壇的重要組成部分，特邀請浙江大學教授、博士生導師盛況將領銜擔任分會程序委員會主席。山東大學教授徐現剛，中科院物理所教授陳小龍，西安電子科技大學微電子學院教授、院長張玉明，西安交通大學教授張安平，大連理工大學教授王德君，中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員柏松擔任程序委員會委員。其中，分會委員山東大學教授徐現剛將分享“SiC單晶生長技術的現狀與展望”深度報告，將帶來最新的技術進展和前景趨勢分析。中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員柏松還將帶來“1.2kV 4H-SiC DMOSFET器件的設計和制造”專題報告。

 

　　除此之外美國Wolfspeed 電力設備研究科學家Jon ZHANG教授將帶來“碳化硅功率器件的現狀與展望”主題報告；荷蘭代爾夫特理工大學教授、IEEE電力電子協會主席Braham FERREIRA，德國愛思強股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER，國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏，日本大阪大學助理教授CHEN Chuantong，超凡數據與咨詢事業部檢索業務高級總監馬志勇等專家及知名企業負責人，將分享各自專場研究進展報告。

 

　　分會將涵蓋SiC襯底、同質外延和電力電子器件技術，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術的最新進展。國內外專家報告匯聚該分會，報告內容及質量讓人十分期待。

 

　　碳化硅材料與器件分會會議日程

　（注：最終會議日程以現場為準）