有業內人士分析認為，隨著5G時代到來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體材料將迎來發展機遇。三安光電、國民技術、揚杰科技、海特高新等多家上市公司均已積極布局。英飛凌（Infineon）方面預計，未來GaN將占據75%的基站射頻功率器件市場。

 

　　第三代半導體脫穎而出

 

　　5G時代，一部手機可能就需要16顆PA（功率放大器）芯片，也需要更多的基站、大規模天線（Massive MIMO）、濾波器等，這給第三代半導體帶來發展機遇。在“2017中國集成電路產業促進大會高峰論壇”上，多位與會嘉賓聚焦5G與化合物半導體發展前景。

 

　　“銳迪科在射頻前端市場厚積薄發，今年營收將再次回到1億美元，預計2018年至2019年將繼續高速增長。”銳迪科助理副總裁賈斌在論壇上介紹。銳迪科主要生產移動電話通訊支持芯片，包括功率放大器、轉換器和接收器等。

 

　　第三代半導體的節能效果尤其值得稱道。據蘇州能訊技術副總裁裴軼介紹，如果采用GaN功放，就會較傳統的LDMOS效率提升10%。這意味著每個基站可節電50瓦，全國基站每年可節電130億度。因此，GaN是毫米波微基站功率放大器的最佳選擇。

 

　　QYResearch的市場研究報告顯示，2016年全球射頻前端市場規模為125億美元，預計到2022年將達到259億美元，年復合增長率為12.9%。

 

　　多家A股公司已布局

 

　　“在第三代半導體方面，三安光電將利用安芯基金，在RF射頻、光通信、濾波器、電力電子等方面進行布局，目標是建設面向下一代無線通信GaN器件平臺。”在本屆高峰論壇上，三安光電RF市場總監陳文欣明確指出了公司具體布局方向。

 

　　作為光電龍頭，三安光電早就大手筆布局第三代半導體。2015年6月，三安光電引入國家集成電路產業投資基金（簡稱“大基金”），意在推動以III—V 族化合物半導體為重點的集成電路業務進一步做大做強。此后，公司聯合福建省、大基金等共同設立了規模500億的福建省安芯產業投資基金合伙企業（簡稱“安芯基金”，首期規模75.1億元）。

 

　　在今年半年報里，三安光電披露，子公司廈門市三安集成電路有限公司（承擔第三代半導體業務）已向47家公司提交樣品，其中11顆芯片進入微量產，此外還布局了光通訊芯片、濾波器等領域。據悉，三安光電目前在第三代半導體業務上首先聚焦移動終端，產品已實現小規模量產，每月訂單近百片wafer（晶圓），預計2018年至2019年將對公司業績產生貢獻。

 

　　除三安光電外，揚杰科技、海特高新、國民技術等多家上市公司均已涉足第三代半導體業務。

 

　　揚杰科技在近期接受機構調研時表示，其碳化硅芯片技術已達到國內領先水平。早在2015年7月，揚杰科技即錨定第三代半導體，定增募資不超過10億元，用于SiC芯片、器件研發及產業化建設等項目。公司在半年報中表示，持續推進第三代半導體項目的研發及產業化，針對650V/1200V碳化硅JBS產品，開發并改進可與硅線相互兼容的生產工藝，以增強產能結構實時調整的能動性。

 

　　國民技術則剛剛開始進入這個領域。公司8月15日披露，其全資子公司深圳前海國民公司與成都邛崍市人民政府簽訂《化合物半導體生態產業園項目投資協議書》，由前者組織資金，以第二、三代化合物半導體外延片材料為核心基礎，在邛崍市打造化合物半導體產業鏈生態圈，項目總投資將不少于80億元，預計三年初具規模。

 

　　此外，海特高新通過其子公司海威華芯建設6英寸的第二代/第三代半導體集成電路芯片生產線。中車時代電氣（中國中車子公司）在高功率SiC器件方面處于國內領先。

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