11月2日下午，由華燦光電、科銳光電、歐司朗、旭宇光電、北京康美特、易美芯光、有研稀土、乾照光電、北京工業大學光電子技術省部共建教育部重點實驗室共同協辦支持的“芯片、封裝與模組技術分會，在易美芯光（北京）科技有限公司執行副總裁/CTO劉國旭主持下召開。

　　會上，來自美國智能照明工程技術研究中心主任、美國倫斯勒理工學院教授Robert F. KARLICEK分享了超越照明：固體照明、顯示器和物聯網集成主題報告；他表示，隨著光電子（LED和激光二極管）和物聯網結合起來改造照明和顯示行業，不斷創新和不斷創新的潮流正在繼續在這兩個市場上開辟新的服務和能力。他回顧了高效LED芯片和封裝的發展，新的固定裝置的開發，以及與新的傳感平臺、新的照明和顯示功能的集成無線通信，以及未來照明和顯示系統的集成。
 

　　Micro LED的火熱已經讓業界大公司躁動起來。臺灣新創公司錼創Micro LED初期做到現在已經有小樣了，而且是透明的Micro LED。前期聽說三星謠傳已經開始在跟他們談合作，這也是為什么今天來看看大家他有這樣的一個結果，這個謠傳也許是真的。

　　臺灣新創公司錼創（Play Nitride）創始人李允立在做“微LED顯示應用的技術挑戰”報告時表示，真正的主流來臨之前有一個新的可能性，有機會我們做一個透明顯示器，這個應用也有很多人說早期做過，顯示器不是很適合，如果我們可以提供一個透明顯示器，各位不知道可以從小孔中看到我，我可以清楚的看到每個人，應該是可以看得到這個顯示器，左邊和右邊有做和沒有做，它的透明度非常高，我們認為這其實有機會發展出更多新的應用。

　　承接在傳統液晶(LCD)、OLED后,Micro LED被視為可能顛覆產業的新一代顯示技術。來自南方科技大學副教授劉召軍會上介紹了，多色Micro LED的傳質技術報告。他認為，今天介紹了MicroLED一個研發的情況介紹，也給大家提供了一個轉移的技術，也實現了全彩色的技術，今天只是拋磚引玉，我們大家需要一起努力，然后把這個問題克服，有困難要克服，困難在哪里？MicroLED待解決的關鍵科學技術問題，不管是從材料角度還是從器件角度，還是從加工的角度有很多事情需要做，這個是需要大家所有的朋友們一起努力，我們來把這些問題克服。

對話

　　科銳作為全球大功率的整個國際上的領先者，會上來自科銳中國市場推廣部總監林鐵先生分享了“大功率LED和COB器件技術發展”報告。他表示，大功率LED和COB器件在高端照明市場具備競爭優勢。隨著國家相關政策和產業發展趨勢，大功率LED器件技術也在不斷變革、細化、發展。器件的光效 、光輸出、光學均勻性、性能都在不斷提升。超大功率LED器件帶來更高流明輸出和光效。

 

　　科銳在LED器件領域又有重大突破，推出革新性的NX技術平臺。該平臺將為新一代照明級LED的創新發展，提供強有力的技術支撐。新型NX技術平臺體現了諸多器件與技術方面的先進性，包括新型Dmax LED芯片、效率更高的熒光粉系統、新型封裝設計和更為簡化的生產工藝。商業照明燈具正在朝著小型化的趨勢發展。照明設計師對空間整體美感的要求越來越高。體積大的燈具在空間中顯得突兀，影響空間整體美感，已不再能夠滿足設計師們和業主們追求美感的需求。COB器件技術不斷變革、細化、發展，高密度級COB器件能為客戶提供優異性能，實現燈具小型化，提高空間整體美感。

 

　　林總表示，我們不只是帶來參數的提升，更是技術價值的體現。后續我們也會根據客戶不斷變化的要求，繼續完善提升我們的產品性能。

　　中科院半導體研究所研究員總工程師伊曉燕分享了“氮化物納米線可控生長與器件應用展望”報告。她主要介紹了納米線和可控制備以及在器件應用當中的初步探索。首先會給大家分享從芯片發展技術上的主要趨勢，納米線器件到底在這個技術上作用，和在納米線生長方面的幾個工作以及它的光學的特征，實現了氮化鎵平面的可控生長。

　　乾照光電目前是國內比較領先的紅光制造商，來自乾照光電股份有限公司技術副總監陳凱軒“藍寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝”報告。他介紹說，乾照光電的紅光產品主要是在揚州工廠生產制造，目前的月產能折合成兩寸片每月是18萬片，現在揚州工廠也在積極的擴產。預計在2019年這個產能可以到40萬片，紅光芯片種類也是非常多，波長范圍涵蓋了從565納米的紅綠光一直到940納米。現在廈門工廠這邊主要是做氮化鎵芯片，目前的產能當然還比較小，每個月折算成兩寸片只有40萬片，在南昌也新設立了分公司南昌乾照，也正在積極的擴產當中，預計2018年每月是100萬片，2019年大概是每月160萬片。氮化鎵芯片的種類目前也是比較全的，用來做照明的0.2瓦、0.1瓦小功率的芯片，不同的尺寸都有相應的產品系列，包括用來做顯示屏的藍光、綠光的芯片，從比較小的0406，也可以歸為MiniLED了，背光、高壓芯片都有開流出來，MicroLED我們也有做相應的開發ph大概是30微米，我們還是需要繼續努力的。

　　中南大學教授汪煉成“采用濕法刻蝕GaN微金字塔結構Q值超過6000的光泵激光”報告。報告中介紹了一種新型的基于全濕法化學腐蝕獲得的高品質因子的垂直結構金字塔GaN光學微腔。在紫外常溫光泵下觀察到多模式激射，如在367.2 nm波長的模式激射，具有低的閾值 （(0.4-0.5MW/cm2）和窄線寬（0.054 nm）和高品質因子（超過6000）。此高性能的光學GaN微腔主要受益于其獨特的微米金字塔制備方式。相比已經報道過GaN微腔，此新型金字塔微腔具有以下特點：1.傳統GaN微腔制造一般通過干法蝕刻得到，有損材料的晶體質量。此金字塔微腔完全為濕法化學蝕刻得到，能在一定程度上“過濾”材料位錯和缺陷，從而提高其晶體質量；2.由濕法蝕刻得到的金字塔微腔具有光滑晶面，和底部的Ag基反射鏡能共同形成良好的光學限制，而無需傳統GaN微腔制備的復雜底切蝕刻工藝。（根據現場速記整理，如有出入敬請諒解！）