2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。
在2日下午，由華燦光電、科銳光電、歐司朗、旭宇光電、北京康美特、易美芯光、有研稀土、乾照光電、北京工業大學光電子技術省部共建教育部重點實驗室共同協辦支持的“芯片、封裝與模組技術分會上，來自丹麥科技大學的歐海燕教授分享了“SiC白光發射”主題報告。
歐海燕于2000年從中科院半導體所半導體器件及微電子專業獲得博士學位。同年加盟丹麥技術大學，并于2005年提拔為副教授。她在2011年受日本科學促進會的資助在名城大學訪問3個月，并在中科院半導體所訪問1個月。她是2013歐洲材料研究學會（E-MRS）的研討會G，2017年的研討會O 和PIERS2014的LED研討會的組織者之一。她的研究背景是用于光通信，光伏和發光的新材料和器件。她負責和參與了多項歐洲，北歐及丹麥的研究項目，目前正領導著一個6人的科研隊伍。她在國際雜志和國際會議上發表了188篇論文，包括一篇在頂尖雜志自然（Nature）上，并在國際會議上作特邀報告13次。她是Light Extraction公司的創始人， 2013年獲得丹麥最有創新性研究的戰略研究獎。她是自然出版社旗下的科學報告的編輯之一。
她表示，碳化硅的工程化和商業光LED應用，是通過半導體芯片來做的，通常它有一些限制，盡管它已經被市場廣泛的接受，但從我們研究的角度來看，我們一直努力想把工作做的更好。
從應用的角度來看，我們希望這種白光光源是高效的，同時也有很好的顯色性和光效，因為發光和CRI之間的關系，我們要考慮到元器件，它并不是廣泛的接受，因此今后可能成為限制性的要素，通常它比半導體的芯片速度要快。另外一個限制就是對于這樣一個白光源來說，它反映的速度要比藍色的芯片更慢，由于這一點我們已經開始考慮到碳化硅。
她介紹說，碳化硅（SiC）是寬間接帶隙半導體，發光效率低。但這種材料除了豐富之外，還具有非常獨特的物理性能，如良好的導熱性，高擊穿電場等。 因此，研究其發光性能是非常有意義的，以便充分利用這種材料。 在這個演講中，介紹兩種方法，即通過施主-受主對摻雜SiC以及用制造多孔SiC的方法來制造發光的SiC。通過氮與硼共同重摻雜SiC，以證明有強烈的黃光發出。 之后，在優化鈍化條件之后，多孔SiC發射強藍綠色的光也被證明。當發黃光的共摻雜SiC和發藍綠光的多孔SiC結合時，實現了高顯色指數白光源。（根據現場速記整理，如有出入敬請諒解！）
