2017年11月1-3日，在科技部、發改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和北京順義區人民政府主辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。

 

　　大會圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用，設置了包括第三代半導體與固態紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。

 沙特國王科技大學助理教授李曉航

　　11月3日上午， IFWS 2017之第三代半導體固態紫外器件技術分會如期召開。中國電子科技集團第十三研究所、專用集成電路重點實驗室為本次分會提供了協辦支持。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。

 

　　日本理化學研究所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大學教授三宅秀人、北京大學副教授許福軍、中科院半導體研究所研究員張韻、華中科技大學教授陳長清、南京電子器件所工程師LUO Weike、中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。北京大學物理學院教授、理學部副主任沈波和南京大學教授陸海共同主持了本屆分會。

 

　　沙特國王科技大學助理教授李曉航做了基于藍寶石和B-III-N合金的III族氮化物深紫外激光器的演講報告。中國和沙特目前是全面戰略伙伴關系，是中國“一帶一路”在中東和北非地區的支點，雙方建立了很強的聯系。沙特國王科技大學寬禁帶半導體的研究目前包括材料表征和物理特性、納米器件和光通信、寬禁帶材料器件、超寬禁帶材料器件等方面。李曉航結合具體的實踐分享了深紫外激光的研究成果，包括具體實驗過程及解決方案。

 

　　　　（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）