2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導(dǎo)體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。
11月2日下午，SSLCHINA 2017之材料與裝備技術(shù)分會如期舉行。中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司、維易科精密儀器國際貿(mào)易（上海）有限公司為本次分會提供了協(xié)辦支持。
美國密歇根大學(xué)教授Pei-Cheng KU，挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN，北京大學(xué)教授陳志忠、南昌大學(xué)教授劉軍林、中微(上海)有限公司主任研究員胡建正、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕BU副總經(jīng)理劉利堅，德國愛思強股份有限公司副總裁Michael HEUKEN、美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監(jiān)Mark MCKEE等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。中科院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任王軍喜，河北工業(yè)大學(xué)教授畢文剛共同主持了本次分會。
MOCVD設(shè)備作為LED領(lǐng)域最為重要的裝備，其發(fā)展一直是業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點，近些年中國設(shè)備廠商進步明顯。會上，中微(上海)有限公司主任研究員胡建正分享了介紹了基于高產(chǎn)率MOCVD平臺 - AMEC Prismo A7TM的氮鎵LED生長研究。胡建正主要研究基于GaN材料的LED器件設(shè)計、性能及可靠性分析。主要參與進行了中微第一代及第二代MOCVD的設(shè)計、工藝開發(fā)及客戶技術(shù)支持。
人們一直在努力降低III族氮化物器件的成本。利用高產(chǎn)率的MOCVD平臺是降低成本的關(guān)鍵因素之一，當(dāng)前PSS是主流方式，近期中微推出了其高產(chǎn)率MOCVD平臺 -AMEC Prismo A7TM，主要用來進行氮化鎵LED外延加工以及其他應(yīng)用。每臺Prismo A7TM設(shè)備可容納多達4個反應(yīng)腔，同時加工136片4英寸外延晶片，并且每個反應(yīng)腔都可以獨立控制。
為進一步達到優(yōu)化性能、提高產(chǎn)量并降低生產(chǎn)成本的目標(biāo)，中微在反應(yīng)腔設(shè)計時特別關(guān)注氮化鎵外延的關(guān)鍵工藝要求，包括工藝均勻性、設(shè)備可靠性、工藝重復(fù)性、簡單操作性等。報告中，胡建正介紹了中微的一些最新設(shè)備數(shù)據(jù)，以及性能提升之處，并詳細分享了高產(chǎn)率4”外延片的生產(chǎn)過程以及6”藍寶石襯底LED的生長的結(jié)果。
為進一步達到優(yōu)化性能、提高產(chǎn)量并降低生產(chǎn)成本的目標(biāo)，中微在反應(yīng)腔設(shè)計時特別關(guān)注氮化鎵外延的關(guān)鍵工藝要求，包括工藝均勻性、設(shè)備可靠性、工藝重復(fù)性、簡單操作性等。報告中，胡建正介紹了中微的一些最新設(shè)備數(shù)據(jù)，以及性能提升之處，并詳細分享了高產(chǎn)率4”外延片的生產(chǎn)過程以及6”藍寶石襯底LED的生長的結(jié)果。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
