近日，依托山東天岳申報的“碳化硅半導體材料研發技術國家地方聯合工程研究中心”獲國家發改委正式批復，這是山東天岳在國家級科技創新平臺建設方面取得的又一新突破。

 

　　山東天岳一直以來高度重視技術創新和研發平臺建設，積極整合國內外領先的科技研發資源，建有國家級博士后科研工作站、2個省級研發平臺和4個海外研發中心，并與國內多所大學和科研院所建有聯合研發實驗室。公司依托強大的平臺資源和人才優勢，先后承擔國家重大課題12項，有力的推動了我國寬禁帶半導體領域的技術進步和產業發展。

 

　　國家地方聯合工程研究中心是國家創新體系建設的重要組成部分，在構建各具特色和優勢的區域創新體系、提高創新驅動發展能力中發揮著重要作用。

 

　　山東天岳將以此次國家級研發平臺批復為契機，加快推進中心建設，優化運行管理，著力提高研發、工程化試驗能力，完善產學研合作機制，進一步加強協同創新，為我國碳化硅半導體產業的發展做出更大貢獻。