2018年10月23日-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心盛大召開。24日，“Micro-LED與其他新型顯示技術”分會聚集了國內外知名專家和企業代表，共同探討了Micro-LED等新型顯示技術前沿進展。

　　“Micro-LED與其他新型顯示技術分會”作為論壇重要分會之一，今年繼續設定為“主題日”活動。分會得到了愛思強、德豪潤達、國星光電、晶科電子的支持協辦。上半場，來自加拿大滑鐵盧大學William WONG教授、香港科技大學首席教授劉紀美、北京大學陳志忠教授、復旦大學張樹宇副教授、廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED芯片事業部產品經理桑永昌、俄羅斯STR 集團有限公司Mark RAMM；下半場，由來自臺灣交通大學佘慶威博士、南方科技大學副教授劉召軍、廈門大學電子科學系教授，福建省半導體照明工程技術研究中心副主任呂毅軍、北京工業大學教授郭偉玲、南京大學電子科學與工程學院教授劉斌、德國愛思強產品管理總監Jens VOIGT、復旦大學副教授田朋飛等國內外知名專家學者企業代表為分會奉獻了高水準研究報告。

　　臺灣交通大學佘慶威博士他在會上分享了《可實現全彩微顯示的新型微結構LED》研究報告。他介紹說，我們研究了一種新型微結構Nano-Ring (NR) LED，首先通過改變NRLED的環壁厚度，可以實現發光波長從480nm藍光到535nm綠光的變化，接著在藍光NRLED上噴涂紅色量子點材料進行色彩轉換，即可在同一材料上實現RGB全彩微顯示。

 

　　并且，我們對NRLED的發光效率以及量子點材料的色轉換效率進行了改善與提升。為了提高NRLED芯片的發光效率，我們利用原子層沉積ALD技術，在NRLED芯片的側壁上沉積不同厚度的氧化鋁保護層，再通過對比不同厚度保護層對芯片發光性能的改善程度，得到最優化的ALD層厚度以及光效最高的NRLED芯片。

 

　　為了增加量子點材料的色轉換效率，我們采用高精度AJ量子點噴涂技術杜絕相鄰像素間量子點沉積時的串擾現象，并且開發DBR反射板覆蓋于量子點色轉換層上，實現激發光的重復利用并且增加量子點材料的發光強度，我們還通過噴涂量子點材料與NRLED芯片的有源區進行直接接觸，利用非輻射能量轉移現象進一步實現量子點色轉換效率的躍升。【根據資料整理，如有出入敬請諒解！】