第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。對于大多數固態照明技術，尤其是對于深紫外發光二極管（DUV-LED）而言，提高光提取效率（LEE）具有非常重要的意義。
近日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
期間，山西中科潞安紫外光電科技有限公司與中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦的“固態紫外器件技術”分會如期召開。會上，臺灣交通大學特聘教授郭浩中做了《新型深紫外LED封裝發光技術提升》的報告，通過報告闡述了紫外封裝技術的方面最新進展，并且提出針對UVC的封裝方面最新研究成果。
郭浩中教授在III-V光學設備/材料（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵）有超過20年的研究經驗。他是2015年美國電子電氣工程師協會(IEEE)會士，2012年美國光學學會(OSA)會士，2013年國際光學工程學會(SPIE)院士，2012年英國工程技術學會(IET)會士。
報告中郭浩中提出了新的封裝形式和方法：1.提出了一種含硅油和半球體的液體包裝結構用于雙色LED設備的鏡頭。2.采用這種設計，光輸出可以提高70.7%，并且與傳統封裝相比，熱阻可降低30.3%結構。3.可靠性試驗后，液體包裝的光輸出維護200小時的雙色發光二極管仍能保持在98%以上。（現在通過500小時）。4.結合高LEE芯片+硅油/半球透鏡EQE>11.4%，LEE>23.75%（壽命通過200小時功率保持@98%）。
