第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優(yōu)勢，展現(xiàn)出巨大的應用潛力。
 

近日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
 

期間，山西中科潞安紫外光電科技有限公司與中微半導體設備（上海）股份有限公司協(xié)辦的“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會如期召開。分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。
 

會上，鄭州大學外籍教授Muhammad Nawaz SHARIF分享了《采用n-AlxGa1-xN低波導層連續(xù)分級生長的深紫外納米線激光二極管光學約束優(yōu)化》的方法，他認為通過設計并模擬了262nm深紫外納米線激光二極管結(jié)構(gòu)，提出了兩種參數(shù)相同的結(jié)構(gòu)，其n-WG分級不同。并且針對NW-LD1具有x=0.75的n-AlXGa1-xN波導層，NW-LD2具有x=0.75-0.66的n-AlXGa1-xN波導層的兩種條件下，進行了模擬，結(jié)果表明，漸變n-WG比非漸變n-WG具有82%的光限域。連續(xù)分級使激活區(qū)域周圍的實際指數(shù)平滑變化，從而產(chǎn)生線性電特性。通過結(jié)論證明了可以采用n-AlxGa1-xN低波導層連續(xù)分級生長能優(yōu)化UVC LED材料生長，提高其光學特性。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）