近日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
期間，山西中科潞安紫外光電科技有限公司與中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦的“固態紫外器件技術”分會如期召開。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。
深紫外(DUV)和極深紫外(EUV)探測器在光刻、天文監測以及國防預警等諸多領域具有非常廣闊的應用前景。在適用于DUV和EUV探測的所有寬禁帶半導體材料中，碳化硅(SiC) 因其可見光盲、漏電流低和抗輻射性能好等優良特性能而受到了廣泛的關注。此外，由于EUV光在半導體材料中的穿透深度非常淺，因此具有表面結的SiC肖特基勢壘光電二極管在該波段相較于其他結構的器件具有更高的量子效率(QE)。
會上，南京大學的王致遠做了《用于DUV和EUV探測的高性能SiC肖特基勢壘光電二極管》的報告，他在報告中介紹了他們課題組研制出來的一種特殊的SiC SBD，并用其設計并制作了高性能DUV&EUV探測器，明確了SiC材料在深紫外探測領域的技術和前景。
他認為SiC肖特基勢壘光電二極管在DUV和EUV探測方面具有明顯的優勢和發展潛力。表現在：1）全電極裝置具有極低泄漏、抗輻射能力強、穩定性好的優良性能；2）與全電極裝置相比，柵電極裝置在EUV波長范圍內，特別是在100nm以上的波長范圍內，具有優越的檢測能力。3）最重要的是，該柵電極裝置可以在0V偏壓下工作，具有更廣泛的應用前景。
當然該技術仍然在研發階段，目前需要解決問題仍然較多，目前主要解決的包括幾點：1）進一步優化制備工藝條件，研制大型探測器部件和探測陣列；2）進一步提高裝置的抗輻射性和溫度穩定性。
