11月25-27日,第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(SSLCHINA&IFWS 2019)將于深圳會(huì)展中心盛大召開(kāi)。期間,英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇、英諾賽科研發(fā)中心副總裁周春華將分別在閉幕大會(huì)和功率電子器件及封裝技術(shù)論壇作重要報(bào)告。

氮化鎵被稱為第三代半導(dǎo)體材料,也是目前最有發(fā)展前景的半導(dǎo)體材料之一,因其優(yōu)良的物理化學(xué)特性,能實(shí)現(xiàn)器件的高頻、高效等特性,大幅度降低系統(tǒng)能耗,能廣泛應(yīng)用于5G通信、新能源汽車(chē)、智能制造、人工智能、數(shù)據(jù)中心等新興領(lǐng)域;氮化鎵具有的優(yōu)異特性和廣泛的應(yīng)用前景使其成為新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的焦點(diǎn)。

英諾賽科科技有限公司是2015年12月由海歸團(tuán)隊(duì)發(fā)起,集合了眾多國(guó)內(nèi)外精英聯(lián)合創(chuàng)辦的寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè),致力于研發(fā)和生產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵功率器件。英諾賽科成功建成全球首條8英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件量產(chǎn)線,主要產(chǎn)品為30V-650V氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件。產(chǎn)品的各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平, 得到各大客戶的認(rèn)可,能廣泛應(yīng)用于多個(gè)新興領(lǐng)域, 如5G 通信、人工智能、新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心等等。

英諾賽科從成立至今的三年多的時(shí)間里, 憑借其團(tuán)隊(duì)雄厚的研發(fā)實(shí)力和生產(chǎn)技術(shù),在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上取得非常亮眼的成績(jī),快速成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)的先鋒企業(yè)。
英諾賽科的商業(yè)模式是集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造以及測(cè)試一體化的IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,建有自有可靠性和失效分析平臺(tái),具有產(chǎn)品快速迭代的能力,確保產(chǎn)品具有高性能、低成本、高可靠性等市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。目前發(fā)布了多款產(chǎn)品,并且已經(jīng)開(kāi)始在快充、激光雷達(dá)、無(wú)線充電、LED 照明領(lǐng)域得到應(yīng)用。
屆時(shí),駱薇薇董事長(zhǎng)將在27日下午閉幕大會(huì)上做《硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)》大會(huì)報(bào)告。英諾賽科研發(fā)中心副總裁周春華將在“”分享《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù):從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告。敬請(qǐng)關(guān)注!