11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
臺灣長庚大學教授邱顯欽、德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BR?CKNER、中興無線技術總工及技術委員會專家劉建利、西安電子科技大學教授劉志宏、北京國聯萬眾科技有限公司副總經理張志國、南京電子器件研究所高級工程師張凱、河北半導體研究所王毅等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。河北半導體研究所副所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持了本次分會。
傳統的砷化鎵功率放大器的效率并非固定不變，除此之外5G通訊系統在功率放大器的散熱和集成度方面又有很高的要求。會上，臺灣長庚大學教授邱顯欽帶來了題為“適用于第五代行動通訊六吋氮化鎵微波功放技術及基站功率電源模塊”的主題報告，介紹并分析了氮化鎵材料的5G功率放大器，針對氮化鎵外延對應的襯底材料進行對比分析，對未來的6G初期以及毫米波應用，氮化鎵HEMT器件也進行了介紹分析。
氮化鎵HEMT在性能和體積上在W波段到D波段的高頻應用方面具有很大的潛質。而為了未來的性能增強，外延結構和可靠性還需要更多的提升。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BRÜCKNER做了題為“高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC”的精彩報告，他表示，FRAUNHOFER 研究院致力于研究氮化鎵HEMT的短柵極技術和MMIC加工工藝。重點研究的任務是外延結構、漏電流控制、缺陷狀態以及小型本征器件的定義等。因此，一種小尺寸的可靠柵極加工工藝將被用于評估外延結構和其他的加工零部件。除此之外，還有一些加工的概念需要在可靠性方面進行評估。
西安電子科技大學教授劉志宏帶來了題為“高頻硅基氮化鎵晶體管“的主題報告，北京國聯萬眾科技有限公司董毅敏分享了5G用毫米波Doherty功率放大器研制的進展。
11月27日上午，“微波射頻與5G移動通信”分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。
氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在5G通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。分會關注氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及HEMT器件在移動通信中的應用等各方面，呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。
臺灣長庚大學教授邱顯欽、德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BR?CKNER、中興無線技術總工及技術委員會專家劉建利、西安電子科技大學教授劉志宏、北京國聯萬眾科技有限公司副總經理張志國、南京電子器件研究所高級工程師張凱、河北半導體研究所王毅等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。河北半導體研究所副所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持了本次分會。
傳統的砷化鎵功率放大器的效率并非固定不變，除此之外5G通訊系統在功率放大器的散熱和集成度方面又有很高的要求。會上，臺灣長庚大學教授邱顯欽帶來了題為“適用于第五代行動通訊六吋氮化鎵微波功放技術及基站功率電源模塊”的主題報告，介紹并分析了氮化鎵材料的5G功率放大器，針對氮化鎵外延對應的襯底材料進行對比分析，對未來的6G初期以及毫米波應用，氮化鎵HEMT器件也進行了介紹分析。
氮化鎵HEMT在性能和體積上在W波段到D波段的高頻應用方面具有很大的潛質。而為了未來的性能增強，外延結構和可靠性還需要更多的提升。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BRÜCKNER做了題為“高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC”的精彩報告，他表示，FRAUNHOFER 研究院致力于研究氮化鎵HEMT的短柵極技術和MMIC加工工藝。重點研究的任務是外延結構、漏電流控制、缺陷狀態以及小型本征器件的定義等。因此，一種小尺寸的可靠柵極加工工藝將被用于評估外延結構和其他的加工零部件。除此之外，還有一些加工的概念需要在可靠性方面進行評估。
近年來，全球信息通信產業呈現移動化、寬帶化和智能化的發展趨勢。第五代移動通信系統（5G）不僅立足于移動通信本身，而且將滲透到未來社會的各個垂直領域，構建以用戶為中心的全方位信息生態系統。會上，中興無線技術總工及技術委員會專家劉建利分享了5G毫米波應用，分層次介紹5G毫米波的業界進展、5G毫米波的特性與應用場景及5G毫米波應用涉及的關鍵技術等。
他表示，5G將與傳統制造、服務行業的融合創新促成“互聯網+”新形態，改變人們的生產、工作、生活方式，為當今中國經濟和社會的發展帶來的無限生機。相較于4G移動通信系統，5G需要滿足更加多樣化的場景和極致性能挑戰。多種場景下的應用，需要對支持部署5G系統新空口標準的候選頻段進行全頻段布局，以綜合滿足網絡對容量、覆蓋、性能等方面的要求。
他表示，5G將與傳統制造、服務行業的融合創新促成“互聯網+”新形態，改變人們的生產、工作、生活方式，為當今中國經濟和社會的發展帶來的無限生機。相較于4G移動通信系統，5G需要滿足更加多樣化的場景和極致性能挑戰。多種場景下的應用，需要對支持部署5G系統新空口標準的候選頻段進行全頻段布局，以綜合滿足網絡對容量、覆蓋、性能等方面的要求。
西安電子科技大學教授劉志宏帶來了題為“高頻硅基氮化鎵晶體管“的主題報告，北京國聯萬眾科技有限公司董毅敏分享了5G用毫米波Doherty功率放大器研制的進展。
南京電子器件研究所高級工程師張凱做了題為“一種新型毫米波氮化鎵高線性晶體管”精彩報告，概括了GaN高線性器件的國內外進展，創新提出一種增強式緩變溝道的GaN HEMTs器件，器件展現了相當優異的開態以及關態特性，同時顯著減緩跨導的下降，（0.15µm器件截止頻率fT/fmax達~85/250 GHz），出色的綜合性能使得本成果在5G毫米波通信等方面具有巨大的應用潛力。
河北半導體研究所王毅介紹了一種采用氮化鎵MMIC和的分離FET器件的HMIC封裝技術的便攜X波段功率放大器。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
