11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心召開(kāi)。
臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)教授邱顯欽、德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所部門(mén)技術(shù)部門(mén)經(jīng)理Peter BR?CKNER、中興無(wú)線技術(shù)總工及技術(shù)委員會(huì)專(zhuān)家劉建利、西安電子科技大學(xué)教授劉志宏、北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾科技有限公司副總經(jīng)理張志國(guó)、南京電子器件研究所高級(jí)工程師張凱、河北半導(dǎo)體研究所王毅等來(lái)自中外的強(qiáng)勢(shì)力量聯(lián)袂帶來(lái)精彩報(bào)告。河北半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)蔡樹(shù)軍、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千共同主持了本次分會(huì)。
傳統(tǒng)的砷化鎵功率放大器的效率并非固定不變，除此之外5G通訊系統(tǒng)在功率放大器的散熱和集成度方面又有很高的要求。會(huì)上，臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)教授邱顯欽帶來(lái)了題為“適用于第五代行動(dòng)通訊六吋氮化鎵微波功放技術(shù)及基站功率電源模塊”的主題報(bào)告，介紹并分析了氮化鎵材料的5G功率放大器，針對(duì)氮化鎵外延對(duì)應(yīng)的襯底材料進(jìn)行對(duì)比分析，對(duì)未來(lái)的6G初期以及毫米波應(yīng)用，氮化鎵HEMT器件也進(jìn)行了介紹分析。
氮化鎵HEMT在性能和體積上在W波段到D波段的高頻應(yīng)用方面具有很大的潛質(zhì)。而為了未來(lái)的性能增強(qiáng)，外延結(jié)構(gòu)和可靠性還需要更多的提升。德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所部門(mén)技術(shù)部門(mén)經(jīng)理Peter BRÜCKNER做了題為“高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC”的精彩報(bào)告，他表示，F(xiàn)RAUNHOFER 研究院致力于研究氮化鎵HEMT的短?hào)艠O技術(shù)和MMIC加工工藝。重點(diǎn)研究的任務(wù)是外延結(jié)構(gòu)、漏電流控制、缺陷狀態(tài)以及小型本征器件的定義等。因此，一種小尺寸的可靠柵極加工工藝將被用于評(píng)估外延結(jié)構(gòu)和其他的加工零部件。除此之外，還有一些加工的概念需要在可靠性方面進(jìn)行評(píng)估。
西安電子科技大學(xué)教授劉志宏帶來(lái)了題為“高頻硅基氮化鎵晶體管“的主題報(bào)告，北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾科技有限公司董毅敏分享了5G用毫米波Doherty功率放大器研制的進(jìn)展。
11月27日上午，“微波射頻與5G移動(dòng)通信”分會(huì)如期召開(kāi)。本屆分會(huì)由蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在5G通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。分會(huì)關(guān)注氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計(jì)與制造、可靠性技術(shù)及HEMT器件在移動(dòng)通信中的應(yīng)用等各方面，呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體微波器件及其應(yīng)用的最新進(jìn)展。
臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)教授邱顯欽、德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所部門(mén)技術(shù)部門(mén)經(jīng)理Peter BR?CKNER、中興無(wú)線技術(shù)總工及技術(shù)委員會(huì)專(zhuān)家劉建利、西安電子科技大學(xué)教授劉志宏、北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾科技有限公司副總經(jīng)理張志國(guó)、南京電子器件研究所高級(jí)工程師張凱、河北半導(dǎo)體研究所王毅等來(lái)自中外的強(qiáng)勢(shì)力量聯(lián)袂帶來(lái)精彩報(bào)告。河北半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)蔡樹(shù)軍、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千共同主持了本次分會(huì)。
傳統(tǒng)的砷化鎵功率放大器的效率并非固定不變，除此之外5G通訊系統(tǒng)在功率放大器的散熱和集成度方面又有很高的要求。會(huì)上，臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)教授邱顯欽帶來(lái)了題為“適用于第五代行動(dòng)通訊六吋氮化鎵微波功放技術(shù)及基站功率電源模塊”的主題報(bào)告，介紹并分析了氮化鎵材料的5G功率放大器，針對(duì)氮化鎵外延對(duì)應(yīng)的襯底材料進(jìn)行對(duì)比分析，對(duì)未來(lái)的6G初期以及毫米波應(yīng)用，氮化鎵HEMT器件也進(jìn)行了介紹分析。
氮化鎵HEMT在性能和體積上在W波段到D波段的高頻應(yīng)用方面具有很大的潛質(zhì)。而為了未來(lái)的性能增強(qiáng)，外延結(jié)構(gòu)和可靠性還需要更多的提升。德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所部門(mén)技術(shù)部門(mén)經(jīng)理Peter BRÜCKNER做了題為“高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC”的精彩報(bào)告，他表示，F(xiàn)RAUNHOFER 研究院致力于研究氮化鎵HEMT的短?hào)艠O技術(shù)和MMIC加工工藝。重點(diǎn)研究的任務(wù)是外延結(jié)構(gòu)、漏電流控制、缺陷狀態(tài)以及小型本征器件的定義等。因此，一種小尺寸的可靠柵極加工工藝將被用于評(píng)估外延結(jié)構(gòu)和其他的加工零部件。除此之外，還有一些加工的概念需要在可靠性方面進(jìn)行評(píng)估。
近年來(lái)，全球信息通信產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)移動(dòng)化、寬帶化和智能化的發(fā)展趨勢(shì)。第五代移動(dòng)通信系統(tǒng)（5G）不僅立足于移動(dòng)通信本身，而且將滲透到未來(lái)社會(huì)的各個(gè)垂直領(lǐng)域，構(gòu)建以用戶(hù)為中心的全方位信息生態(tài)系統(tǒng)。會(huì)上，中興無(wú)線技術(shù)總工及技術(shù)委員會(huì)專(zhuān)家劉建利分享了5G毫米波應(yīng)用，分層次介紹5G毫米波的業(yè)界進(jìn)展、5G毫米波的特性與應(yīng)用場(chǎng)景及5G毫米波應(yīng)用涉及的關(guān)鍵技術(shù)等。
他表示，5G將與傳統(tǒng)制造、服務(wù)行業(yè)的融合創(chuàng)新促成“互聯(lián)網(wǎng)+”新形態(tài)，改變?nèi)藗兊纳a(chǎn)、工作、生活方式，為當(dāng)今中國(guó)經(jīng)濟(jì)和社會(huì)的發(fā)展帶來(lái)的無(wú)限生機(jī)。相較于4G移動(dòng)通信系統(tǒng)，5G需要滿(mǎn)足更加多樣化的場(chǎng)景和極致性能挑戰(zhàn)。多種場(chǎng)景下的應(yīng)用，需要對(duì)支持部署5G系統(tǒng)新空口標(biāo)準(zhǔn)的候選頻段進(jìn)行全頻段布局，以綜合滿(mǎn)足網(wǎng)絡(luò)對(duì)容量、覆蓋、性能等方面的要求。
他表示，5G將與傳統(tǒng)制造、服務(wù)行業(yè)的融合創(chuàng)新促成“互聯(lián)網(wǎng)+”新形態(tài)，改變?nèi)藗兊纳a(chǎn)、工作、生活方式，為當(dāng)今中國(guó)經(jīng)濟(jì)和社會(huì)的發(fā)展帶來(lái)的無(wú)限生機(jī)。相較于4G移動(dòng)通信系統(tǒng)，5G需要滿(mǎn)足更加多樣化的場(chǎng)景和極致性能挑戰(zhàn)。多種場(chǎng)景下的應(yīng)用，需要對(duì)支持部署5G系統(tǒng)新空口標(biāo)準(zhǔn)的候選頻段進(jìn)行全頻段布局，以綜合滿(mǎn)足網(wǎng)絡(luò)對(duì)容量、覆蓋、性能等方面的要求。
西安電子科技大學(xué)教授劉志宏帶來(lái)了題為“高頻硅基氮化鎵晶體管“的主題報(bào)告，北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾科技有限公司董毅敏分享了5G用毫米波Doherty功率放大器研制的進(jìn)展。
南京電子器件研究所高級(jí)工程師張凱做了題為“一種新型毫米波氮化鎵高線性晶體管”精彩報(bào)告，概括了GaN高線性器件的國(guó)內(nèi)外進(jìn)展，創(chuàng)新提出一種增強(qiáng)式緩變溝道的GaN HEMTs器件，器件展現(xiàn)了相當(dāng)優(yōu)異的開(kāi)態(tài)以及關(guān)態(tài)特性，同時(shí)顯著減緩跨導(dǎo)的下降，（0.15µm器件截止頻率fT/fmax達(dá)~85/250 GHz），出色的綜合性能使得本成果在5G毫米波通信等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。
河北半導(dǎo)體研究所王毅介紹了一種采用氮化鎵MMIC和的分離FET器件的HMIC封裝技術(shù)的便攜X波段功率放大器。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
