11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
2019年11月26日上午，“可靠性與熱管理技術(shù)” 分會如期召開。本屆分會由山西中科潞安紫外光電科技有限公司協(xié)辦。新加坡南洋理工大學副教授DU Hejun，華中科技大學能源與動力工程學院院長、中歐清潔與可再生能源學院中方院長羅小兵，北京工業(yè)大學教授郭偉玲，德國達姆施塔特工業(yè)大學研究助理Ferdinand KEIL，中國科學院半導體研究所馬占紅，香港科技大學趙惠珊，半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室(常州基地)研發(fā)工程師陳威等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。
隨著固體照明技術(shù)的發(fā)展，可見光通信（VLC）近年來受到了廣泛的關(guān)注。中國科學院半導體研究所馬占紅做了題為“適用于可見光通信高帶寬微發(fā)光二極管的可靠性分析”的報告，分享了制備帶寬高達1GHz的氮化鎵基微LED的研究，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應(yīng)力下的可靠性。
與傳統(tǒng)的射頻無線通信相比，VLC具有保密性高，無電磁干擾和無頻譜限制等優(yōu)點。它也被認為是未來無線通信的潛在接入選擇。近年來，微發(fā)光二極管（Micro-LED）已經(jīng)可以被用于傳輸速率為幾Gbps的通信應(yīng)用，這主要是因為微型led的尺寸小，電流分布廣，電流密度容量大。通過增加注入電流密度，微LED的調(diào)制帶寬可以顯著地提高到數(shù)百兆甚至千兆赫茲。然而，隨著電流密度的增加，微型微LED的結(jié)溫也會增加。在高電流密度下，微型微LED將同時受到大電流和高溫加速應(yīng)力的影響，導致其性能迅速下降，壽命縮短，制約了VLC的進一步發(fā)展。然而到目前為止，微微LED在VLC應(yīng)用中的可靠性分析還很有限，高帶寬微微LED在VLC應(yīng)用中的退化行為和失效機理還不清楚。
研究制備了帶寬高達1GHz的氮化鎵基微微LED，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應(yīng)力下的可靠性。在測試過程中，分別用積分球、吉時利 2400源表和安捷倫 E5061B矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測量了器件的電致發(fā)光（EL）、電流電壓（I-V）特性和小信號頻率響應(yīng)。光功率和I-V曲線的衰減行為主要歸因于激活區(qū)內(nèi)或周圍點缺陷的產(chǎn)生，而點缺陷又是陷阱輔助隧穿（TAT）和非輻射復(fù)合的主要原因。在這個過程中產(chǎn)生的相關(guān)缺陷不僅降低了注入量子阱區(qū)域的載流子密度，而且提高了輻射復(fù)合和俄歇復(fù)合的載流子壽命。這些結(jié)果將有助于提高在高電流密度下工作的高帶寬微型微LED的可靠性。
2019年11月26日上午，“可靠性與熱管理技術(shù)” 分會如期召開。本屆分會由山西中科潞安紫外光電科技有限公司協(xié)辦。新加坡南洋理工大學副教授DU Hejun，華中科技大學能源與動力工程學院院長、中歐清潔與可再生能源學院中方院長羅小兵，北京工業(yè)大學教授郭偉玲，德國達姆施塔特工業(yè)大學研究助理Ferdinand KEIL，中國科學院半導體研究所馬占紅，香港科技大學趙惠珊，半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室(常州基地)研發(fā)工程師陳威等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。
隨著固體照明技術(shù)的發(fā)展，可見光通信（VLC）近年來受到了廣泛的關(guān)注。中國科學院半導體研究所馬占紅做了題為“適用于可見光通信高帶寬微發(fā)光二極管的可靠性分析”的報告，分享了制備帶寬高達1GHz的氮化鎵基微LED的研究，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應(yīng)力下的可靠性。
與傳統(tǒng)的射頻無線通信相比，VLC具有保密性高，無電磁干擾和無頻譜限制等優(yōu)點。它也被認為是未來無線通信的潛在接入選擇。近年來，微發(fā)光二極管（Micro-LED）已經(jīng)可以被用于傳輸速率為幾Gbps的通信應(yīng)用，這主要是因為微型led的尺寸小，電流分布廣，電流密度容量大。通過增加注入電流密度，微LED的調(diào)制帶寬可以顯著地提高到數(shù)百兆甚至千兆赫茲。然而，隨著電流密度的增加，微型微LED的結(jié)溫也會增加。在高電流密度下，微型微LED將同時受到大電流和高溫加速應(yīng)力的影響，導致其性能迅速下降，壽命縮短，制約了VLC的進一步發(fā)展。然而到目前為止，微微LED在VLC應(yīng)用中的可靠性分析還很有限，高帶寬微微LED在VLC應(yīng)用中的退化行為和失效機理還不清楚。
研究制備了帶寬高達1GHz的氮化鎵基微微LED，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應(yīng)力下的可靠性。在測試過程中，分別用積分球、吉時利 2400源表和安捷倫 E5061B矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測量了器件的電致發(fā)光（EL）、電流電壓（I-V）特性和小信號頻率響應(yīng)。光功率和I-V曲線的衰減行為主要歸因于激活區(qū)內(nèi)或周圍點缺陷的產(chǎn)生，而點缺陷又是陷阱輔助隧穿（TAT）和非輻射復(fù)合的主要原因。在這個過程中產(chǎn)生的相關(guān)缺陷不僅降低了注入量子阱區(qū)域的載流子密度，而且提高了輻射復(fù)合和俄歇復(fù)合的載流子壽命。這些結(jié)果將有助于提高在高電流密度下工作的高帶寬微型微LED的可靠性。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
