11月26日下午，“半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)”分會如期召開。本屆分會由木林森股份有限公司、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、華燦光電股份有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、歐司朗光電半導(dǎo)體（中國）有限公司、有研稀土新材料股份有限公司協(xié)辦。
美國智能照明工程技術(shù)研究中心主任、美國倫斯勒理工學(xué)院教授Robert F. KARLICEK，歐司朗光電半導(dǎo)體（中國）有限公司銷售負責人邵嘉平，易美芯光（北京）科技有限公司執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官劉國旭，廈門大學(xué)教授陳朝，有研稀土新材料股份有限副總經(jīng)理、教授級高級工程師劉榮輝，中南大學(xué)教授汪煉成，復(fù)旦大學(xué)副研究員劉盼等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。易美芯光（北京）科技有限公司執(zhí)行副總裁兼CTO劉國旭、北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲共同主持了本次分會。
量子點電致發(fā)光器件(QLED) 逐漸成為一種新興的顯示技術(shù)，其工作壽命是限制量子點顯示器發(fā)展的關(guān)鍵參數(shù)。易美芯光（北京）科技有限公司執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官劉國旭帶來了題為“針對類太陽光和植物光照應(yīng)用的紫外激發(fā)白光LED”的主題報告。
他表示，為了探究QLED退化的原因，研究在電子傳輸層和量子點發(fā)光層之間引入絕緣層，實驗證明QLED的可靠性得到了提高，證明PMMA可以減少界面處電荷轉(zhuǎn)移并減少非輻射復(fù)合，從而減慢QDs-ZnO層的老化。與相同條件下制備的QLED基礎(chǔ)器件相比，加入1.0 mg / ml的PMMA所制備的器件，最長使用壽命為28.7h，時長提高了50％。研究并實驗驗證了界面電荷轉(zhuǎn)移對器件老化的影響，為進一步提高量子點器件壽命奠定了基礎(chǔ)。
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