11月26日上午，“超寬禁帶半導體技術” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯(lián)網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，西安電子科技大學教授張金風，瑞士Microdiamant研發(fā)部門負責人Christian JENTGENS，鄭州大學教授、日本名古屋大學客座教授劉玉懷，西安交通大學副教授李強，北京大學劉放、中國科學技術大學趙曉龍等來自中外嘉賓聯(lián)袂帶來精彩報告。
深紫外線檢測技術具有重要的應用，例如紫外線成像，紫外線/紅外線雙重引導，預警系統(tǒng)，紫外線通訊，紫外線干擾等。中國科學技術大學趙曉龍做了題為“ Ga2O3半導體器件-深紫外光電探測器”的主題報告，介紹了Ga2O3材料和DUV光電探測器、各種用于光檢測的半導體、適用于UVPD的寬帶隙Ga2O3半導體等現(xiàn)狀，大規(guī)模Ga2O3襯底的方法以及Ga2O3外延層生長的各種方法。
不過，Ga2O3光電探測器也存在挑戰(zhàn)，比如PD陣列中的串擾、持久光電導（PPC），材料方面，由于O空位缺陷，P型Ga2O3難以實現(xiàn)，低導熱性和流動性；結構上，Ga2O3 PN結尚未實現(xiàn)；功能上單光子檢測仍然具有挑戰(zhàn)性。
報告同時指出，Ga2O3具有超寬的帶隙，低成本，高的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性，因此被認為是最有前途的紫外線檢測材料之一。Ga2O3紫外線光電探測器在高電場，高輻照度和高溫等極端環(huán)境中具有巨大潛力；Ga2O3紫外光電探測器的研究仍處于起步階段，從材料（缺陷），器件結構和加工方法等方面存在一系列關鍵的科學技術問題。
（內容根據現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
