11月23-25日，第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
25日下午，功率電子器件及封裝技術(shù)分會(huì)碳化硅專場(chǎng)如期舉行。本屆分會(huì)由廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，中電化合物半導(dǎo)體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦。
分會(huì)期間，日本豐田汽車公司功率半導(dǎo)體顧問(wèn)、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會(huì)主席濱田公守，中電科五十五所教授級(jí)高工、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任柏松，廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院前院長(zhǎng)邱宇峰，浙江大學(xué)特聘副研究員任娜，賀利氏電子中國(guó)區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖，重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院副教授曾正，華北電力大學(xué)副教授李學(xué)寶，深圳第三代半導(dǎo)體研究院研究員楊安麗等來(lái)自國(guó)內(nèi)外科研院所、企業(yè)的精英代表帶來(lái)精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。浙江大學(xué)特聘教授，電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)盛況和廣東晶科電子股份有限公司董事長(zhǎng)兼總裁肖國(guó)偉共同主持了本屆分會(huì)。
日本豐田汽車公司功率半導(dǎo)體顧問(wèn)、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會(huì)主席濱田公守帶來(lái)了超窄體（UNB）MOSFET”和“接地窄而深p（GND）MOSFET”的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)“ 的主題報(bào)告，分享了最新的研究成果。
中電科五十五所高級(jí)工程師李士顏博士分享了碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展，包括當(dāng)前市場(chǎng)及應(yīng)用，發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)、關(guān)鍵技術(shù)等內(nèi)容，報(bào)告指出，國(guó)際上SiC電力電子器件技術(shù)處于快速發(fā)展期，快速推進(jìn)新能源汽車等領(lǐng)域的批量應(yīng)用。國(guó)基南方SiC G1DMOS技術(shù)初步建立，正在進(jìn)行650-1700V產(chǎn)品的市場(chǎng)推廣，提升穩(wěn)定供貨能力。
廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院前院長(zhǎng)邱宇峰帶來(lái)了“碳化硅功率半導(dǎo)體器件在電力系統(tǒng)的應(yīng)用”的主題報(bào)告，其中，報(bào)告指出，能源革命促進(jìn)了電力電子裝備在電網(wǎng)的廣泛應(yīng)用，進(jìn)而從根本上改變電網(wǎng)形態(tài)；功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展是推動(dòng)力電網(wǎng)電力電子裝備演進(jìn)關(guān)鍵因素；碳化硅器件具有高結(jié)溫、高電壓、高頻的特點(diǎn)，非常適合電網(wǎng)應(yīng)用，其廣泛應(yīng)用將推動(dòng)電網(wǎng)的電力電子化進(jìn)程；碳化硅器件已在電網(wǎng)中低壓場(chǎng)景得到了廣泛應(yīng)用，可提顯著升裝置效率、功率密度等關(guān)鍵指標(biāo)；高壓大功率碳化硅器件研制仍需突破電流密度、大尺寸襯底外延、低寄生參數(shù)封裝，成品率等問(wèn)題。
浙江大學(xué)特聘副研究員任娜帶來(lái)了SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問(wèn)題的研究，分享了近期研究成果介紹，并分享了具體的SiC器件可靠性提升方法。
賀利氏電子中國(guó)區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖分享了用于SiC功率器件的先進(jìn)封裝解決方案，報(bào)告指出，每片芯片面積功率密度的增加需要散熱性更好的材料；功率越大，包裝材料的載流能力越強(qiáng)；工作溫度升高導(dǎo)致可靠性挑戰(zhàn)。
重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院副教授曾正分享了碳化硅功率模塊的先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)的最新進(jìn)展，報(bào)告指出，功率半導(dǎo)體行業(yè)涉及跨學(xué)科交叉，包括很長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈，是復(fù)雜的系統(tǒng)工程，環(huán)環(huán)相扣，晶圓材料、芯片制造、封裝測(cè)試、應(yīng)用集成等缺一不可；先進(jìn)封裝技術(shù)是發(fā)揮SiC器件優(yōu)異性能的關(guān)鍵；先進(jìn)測(cè)試技術(shù)是表征SiC器件電熱性能的關(guān)鍵；急需產(chǎn)-學(xué)-研的協(xié)同創(chuàng)新，人才、資本、技術(shù)和市場(chǎng)的有機(jī)整合。
華北電力大學(xué)副教授李學(xué)寶帶來(lái)了“高壓SiC器件封裝絕緣問(wèn)題及面臨的挑戰(zhàn)”的主題報(bào)告，介紹了正極性方波下封裝材料的沿面放電特性、封裝用硅凝膠在寬溫度范圍內(nèi)的絕緣特性、正極性重復(fù)脈沖電壓下電場(chǎng)動(dòng)態(tài)特性分析。
深圳第三代半導(dǎo)體研究院研究員楊安麗分享了抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計(jì)的研究成果。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
