11月23-25日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

25日下午，由中電化合物半導體有限公司協辦的“微波射頻與5G移動通信”技術分會如期召開。分會期間，復旦大學微電子學院研究員黃偉，中興通訊高級技術預研工程師蔡小龍，中電化合物半導體有限公司研發總監唐軍，荷蘭Ampleon Netherlands高級經理陳松，華為技術有限公司部長戈黎明，南方科技大學深港微電子學院副教授汪青，西安電子科技大學微電子學院李楊等來自國內外高校、科研院所、企業的精英代表帶來了精彩報告，分享前沿研究成果。河北半導體研究所副所長蔡樹軍與蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持了本屆分會。

 

復旦大學微電子學院研究員黃偉分享了面向5G/衛星通信應用的化合物半導體射頻芯片技術研究進展，其中，報告指出，基于行業發展需要，毫米波通信面向更高速度、更廣覆蓋、更低延時的無線接入應用。毫米波通信技術已被確立為5G 關鍵技術之一。基于波束化的應用，高通量衛星通信星座系統/5G通信的毫米波接駁與融合。

 

中電化合物半導體有限公司研發總監唐軍分享了SiC基GaN射頻材料熱阻的研究進展。其中，報告指出，AlGaN/GaN HEMT器件的有效熱管理是器件可靠性和性能最關鍵的因素之一；對于SiC基GaN 射頻器件，從有源區有效提取出熱量是熱管理的關鍵；對于SiC基GaN 器件熱阻，除了考慮GaN、SiC材料熱阻，還需要考慮不同材料的界面熱阻。

 

荷蘭Ampleon Netherlands高級經理陳松帶來了“研發轉量產：射頻功率器件量產階段零失效目標下的挑戰和實踐”的主題報告，結合具體實例，報告指出，缺陷、篩選、產量……是制造階段實現零缺陷最重要的挑戰性項目。建立精確的外部可靠性模型是設置合適篩選條件的關鍵。通過PDCA循環推動產量提高至關重要。

華為技術有限公司部長戈黎明分享了“射頻氮化鎵現狀和未來展望”主題報告。

 

南方科技大學深港微電子學院副教授汪青分享了Si基GaN射頻器件的關鍵技術研究進展，報告指出，采用高頻活化法沉積的PECVD-SiNx可以避免離子轟擊，獲得良好的鈍化效果。應力襯層可以抑制肖特基柵F-N隧穿，減少柵漏。InAlN/GaN-HEMT優良的飽和電流和跨導特性顯示出它在更好的射頻放大器應用中的潛力。

 

西安電子科技大學微電子學院李楊帶來了“用于無線充電和功率傳輸的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器”的報告，提出了一種中功率容量、寬功率帶寬的指型GaN-SBD微波整流器。在不犧牲其它指標的前提下，實現了SBD準恒定結電容和低串聯電阻的特性。與目前最先進的硅和砷化鎵整流器相比，基于新型GaN-SBD的微波整流器即使不使用任何類型的帶寬擴展電路，也能提供最寬的高效率輸入功率范圍（效率≥70%和75%）。最好的應用場景是無線充電或驅動高功耗5G物聯網傳感器（或嵌入式傳感器）。

 

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）