近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

期間，由江蘇博睿光電有限公司協(xié)辦的“可靠性與熱管理技術”分會上,電子科技大學劉成藝帶來了關于n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt歐姆接觸電極在空氣中高溫退火處理的失效機理研究的主題報告。結合具體的實驗數(shù)據(jù)，分享了電氣性能、失效機理研究的最新成果。

從應用上來看，4H-SiC可以用于航空發(fā)動機壓力監(jiān)測的電容式壓力傳感器。具有高溫、高壓、高輻射的特點，輸出電信號的高可靠性歐姆接觸。從材料性能上看，4H-SiC最高工作溫度1580℃，楊氏模量448gpa。SiC上Ti/TiN/Pt有低電阻，高工作溫度的特點。也面臨著很大的挑戰(zhàn)，比如在空氣中，歐姆接觸在高達600℃的高溫下會發(fā)生極大的退化，對SiC/Ti/TiN/Pt觸頭失效機理缺乏系統(tǒng)研究。研究中采用了不同熱處理制備的接觸試樣和分析了樣品的電學性能、微觀結構和化學成分的實驗方法。

其中，報告指出，其失效機理涉及TiO2顆粒物，SiO2和金屬硅化物的峰型結構，錫的消耗，促進了鈦和鉑的擴散。金屬化剝離，SiC氧化生成SiO2
 

（內容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）