本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇得到了國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業和信息化部原材料工業司、國家節能中心、國家新材料產業發展專家咨詢委員會、深圳市科技創新委員會的大力支持。并得到了深圳市龍華區科技創新局的特別支持。
開幕大會上，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事長吳玲做了“迎挑戰 抓機遇 開新局”的綜述報告。結合國內外大勢，從半導體照明與第三代半導體產業整體發展角度，詳細分享了產業面臨的挑戰、機遇與新局面。
我國在第三代半導體方面有一定的技術基礎,有廣大的應用市場，未來五年將是我國第三代半導體技術和產業飛速發展的重要窗口期。2020年是面向“十四五”部署科技重點任務的關鍵之年，關涉中國未來科技發展航向的“十四五”規劃和2035年遠景目標正在徐徐展開。
綠色低碳發展、萬物智能互聯成為全球共識。新一輪科技和產業變革將顛覆性影響人類未來發展改變生產、生活、思維方式，重塑生產關系和經濟模式。
能源領域正在發生著大的變革。其中，采用第三代半導體替代傳統器件，可節電萬億度。健康、智慧光源支撐顛覆式創新應用。超越照明跨界融合發展光生物、光健康、光醫療，紫外光源開創高效綠色固態紫光技術，顯示光源開啟高度集成半導體信息顯示技術新變革，信息光源開拓高速寬帶可見光通信技術。第三代半導體的自立自強，可以支撐“高質量”發展。支撐能源與環境所面臨的嚴峻挑戰，支撐以互聯網為標志的新一代信息技術的可持續發展，支撐智能化為代表的制造業升級和高質量發展。
從產業現狀來看，2020年第三代半導體產值7032 億元（含LED），具備了全創新鏈的研發能力，初步形成了從材料、器件到應用的全產業鏈，整體競爭力不強，特別是核心材料和關鍵裝備成為卡脖子瓶頸。
中國LED產業逐漸進入成熟期，已成為全球最大的半導體照明生產、消費、出口國，有產業鏈、供應鏈優勢。上中游全球占有率顯著提升，但利潤下滑。下游應用通用照明市場強韌支撐。技術從跟跑到部分領跑。“十三五”期間，功率型白光LED光效處于國際領先水平，功率型硅基LED芯片產業化光效不斷提升，565nm硅基黃光LED國際領跑。光電子領域應用驅動明顯，培育壯大新動能需求迫切。
半導體照明應用角度，Mini/Micro-LED、紫外及深紫外LED創新應用、健康智慧照明、光生物與光醫療、設施農業光照都有很大的發展及未來市場成長空間。其中，到2025年中國紫外LED（器件及模組）市場規模可達57億元，“十四五”期間年均復合增長率超40%。
高光品質、高顯色性器件產品（顯色指數90以上）2025年將增長到13.4億美元，“十四五”期間，室內智能照明市場年均增速約20%，2025年室內智能照明市場超719.12億元，在5G商用帶動下，多功能燈桿增長勢頭強勁，十四五”市場空間約為466億元。智能駕駛時代交通光信號承載人-車-環境的智能交互，從汽車照明到車用傳感全面布局。
中國第三代半導體正迎來發展的窗口期。第三代半導體方面，功率及射頻半導體解決有無，性能和制造能力亟待提升。雙循環模式推動國產化替代。2020年中國SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元。
5G加速推進GaN射頻應用迅猛增長，預計2025年5G基站500-550萬個，直接拉動基站投資約2.5萬億。新能源汽車及消費電子成為突破口。資本加速進入，并購擴產頻繁。區域布局初步形成。
其中，中國的GaN微波射頻產業產值2020年將達到33.75億元，比去年的26.15億元將增長29%；SiC、GaN電力電子產業產值2020年將達到35.35億元，比去年的29.03億元將增長21.77%。
另一方面，市場規模擴大，5G加速推進GaN射頻應用迅猛增長，2020年中國GaN射頻器件市場規模約170億元；新能源汽車及消費電子成為突破口，2020年中國電力電子器件應用市場規模58.2億元。
未來，要做好頂層設計、統籌規劃、長期穩定投入。夯實支撐產業鏈的公共研發與服務等基礎平臺，探索構建第三代半導體產業創新生態，加強精準的國際與區域的深度合作，共同努力全鏈條進入世界先進行列。
2030年形成發展優勢，5G射頻國產化率90%，6G通信用射頻器件實現產業化；功率半導體在新能源汽車、高速列車、通用電源等領域國產化率70%；Micro-LED、深紫外LED國產化率80%；開發出萬伏千安級碳化硅全系列產品, 支撐特高壓裝備技術國際引領；產業鏈核心環節形成1-3家世界級龍頭企業；帶動產值超過3萬億元，年節電萬億度。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
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