近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由華燦光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司共同協(xié)辦的“Mini/Micro-LED新型顯示技術(shù)”分會上，南方科技大學電子與電氣工程系講席教授孫小衛(wèi)分享了量子點顯示技術(shù)的主題報告。
QD是一種節(jié)能、高質(zhì)量的顯示技術(shù)。報告從顯示技術(shù)的沿革，QLED陽性老化、噴墨打印QLED、QLED中的光隧道效應(yīng)、QLED的熱效應(yīng)、QD 膜片等維度分享了最新的研究進展。涉及發(fā)光納米晶體、膠體量子點應(yīng)用、窄線寬-WCG等具體技術(shù)。
報告顯示，ZnO/ZnMgO的RSE可能導致QLED的正老化，這為QLED的研究提供了一個新的視角。IJP適用于QLED。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
