期間，由江蘇南大光電材料股份有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司協(xié)辦的“襯底、外延及生長裝備”分會上，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研發(fā)中心主任、山東大學(xué)副教授彭燕帶來了“SiC單晶材料及產(chǎn)業(yè)化進展”的主題報告。

 

一代材料決定一代器件，碳化硅材料具有禁帶寬度越大，其熱學(xué)本征激發(fā)需要溫度越高，無需額外散熱裝置，減小整機體積等特質(zhì)。

報告顯示，電力電子SiC器件涉及高功率、高壓領(lǐng)域，如新能源汽車、高鐵運輸、智能電網(wǎng)的逆變器等器件。技術(shù)發(fā)展&需求增加，yole報告指出SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的年均復(fù)合增速預(yù)計將達到38%。襯底材料涉及SiC substrate +epitaxy GaN 高能效LED；GaN高頻大功率微波器件，應(yīng)用雷達、武器和通信系統(tǒng)等方面。

碳化硅材料面臨的挑戰(zhàn)，主要來自成本與質(zhì)量。其中，成本涉及150毫米和更大直徑的碳化硅晶片以及成熟的技術(shù)，商用、高可靠性的產(chǎn)品。質(zhì)量方面涉及低位錯密度、低應(yīng)力、P型襯底、生長和加工新技術(shù)等。

彭燕，凝聚態(tài)物理博士，山東大學(xué)副教授/博士研究生導(dǎo)師，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研發(fā)中心主任。2011年6月畢業(yè)于山東大學(xué)，同年加入晶體材料國家重點實驗室工作。2017-2018年在美國田納西大學(xué)做訪問學(xué)者。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料研究工作，重點研究SiC、金剛石材料的制備、表征及應(yīng)用研究，先后主持、參與國家基礎(chǔ)研究計劃、973、核高基及自然科學(xué)基金項目等10余項，發(fā)表SCI論文40余篇，申請/授權(quán)專利近30項。
 

 

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