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IBM全球首發(fā)2nm制程芯片及制造技術(shù),為半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2021-05-08 來源:芯智訊瀏覽次數(shù):288
雖然半導(dǎo)體制程工藝的持續(xù)推進(jìn)變得越來越困難,但是根據(jù)臺(tái)積電此前透露的信息顯示,其已在2nm工藝上取得了重大突破,樂觀的情況下,2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),2024年可能將步入量產(chǎn)階段。不過,在臺(tái)積電之前,近日IBM搶先發(fā)布了全球首款2nm制程的芯片。


據(jù)《路透社》 的報(bào)導(dǎo)稱,IBM 于當(dāng)?shù)貢r(shí)間6日發(fā)布了全球首個(gè)2nm制程的芯片。根據(jù)其公布的資料顯示,憑借其2nm的供應(yīng),IBM成功將約500億個(gè)晶體管容納在指甲大小的芯片上。而如果以指甲面積約150平方毫米來計(jì)算,IBM的這塊2nm制程芯片中的晶體管密度約為每平方毫米3.33億個(gè)晶體管(MTr /mm )。
 

目前環(huán)繞閘極技術(shù)(Gate-All-Around,GAA)已經(jīng)成為了業(yè)界公認(rèn)的5nm節(jié)點(diǎn)之后取代FinFET技術(shù)的關(guān)鍵,三星已經(jīng)計(jì)劃在其3nm工藝節(jié)點(diǎn)上采用GAA技術(shù),而臺(tái)積電則相對(duì)保守的計(jì)劃在其第一代3nm工藝上將繼續(xù)用FinFET技術(shù),后續(xù)才會(huì)升級(jí)到GAA。
 
根據(jù)此前三星公布3nm GAA工藝技術(shù)指標(biāo)顯示,相比其7nm工藝,3nm GAA工藝可實(shí)現(xiàn)芯片面積減少45%,功耗降低50%或性能提高35%。
 
此次IBM公布的2nm芯片也正是采用了最新的GAA技術(shù)。IBM表示,其2nm工藝采用業(yè)界首創(chuàng)的底部介質(zhì)隔離技術(shù),可實(shí)現(xiàn)12nm柵極長(zhǎng)度;同時(shí)采用了可以用于精確的閘門控制的第二代干法工藝;基于EUV光刻可以產(chǎn)生從15nm到70nm的可變納米片寬度。
 

IBM稱,與當(dāng)前許多筆記本電腦和智能手機(jī)中使用的主流7nm制程芯片相較,如果在IBM的2nm制程工藝的加持下,將可使其運(yùn)算速度提升45%,而功耗方面有望降低75%。即使與5nm芯片相比,2nm的加持下芯片面積也將大幅縮小,性能大幅提升。
 
IBM強(qiáng)調(diào),在新發(fā)布的2nm制程芯片中,其晶體管的體積非常小,使芯片中的晶體管密度更高,讓運(yùn)算能更快,也更加省電。而針對(duì)其中可能會(huì)有的漏電問題,IBM表示目前已經(jīng)可以克服。
 
根據(jù)IBM 研究室主任Darío Gil 指出,2nm制程芯片的成敗,其最重要的關(guān)鍵還是在晶體管技術(shù)上,因?yàn)檫\(yùn)算領(lǐng)域的一切都取決于晶體管的效能是否變得更好。不過,這不能保證晶體管會(huì)一代又一代地向前發(fā)展。因此,每當(dāng)有更先進(jìn)的晶體管技術(shù)出現(xiàn)時(shí),這都是業(yè)界的一件大事。只是,雖然IBM 率先業(yè)界開發(fā)出2nm制程芯片及技術(shù),如果要將其真的普及于市場(chǎng),IBM 則預(yù)估還要幾年的時(shí)間。
 
IBM 曾是全球重要的芯片制造商。不過,現(xiàn)在其已將大多數(shù)芯片的生產(chǎn)外包給了韓國(guó)三星,包括其在下半年將推出的最新Power 10服務(wù)器處理器。但是,IBM 在美國(guó)紐約州的Albany 仍保留著一個(gè)芯片研發(fā)中心,該中心負(fù)責(zé)對(duì)芯片進(jìn)行研發(fā)與測(cè)試工作。此次IBM率先發(fā)布的2nm制程芯片及其生產(chǎn)技術(shù),也代表著其目前在芯片制造技術(shù)上仍位居全球領(lǐng)先位置。
 
需要指出的是,IBM通過與三星及英特爾所簽定的聯(lián)合技術(shù)開發(fā)協(xié)議,也讓兩家具備制造能力的芯片制造商可以使用IBM 研發(fā)的芯片技術(shù)。也就是說,三星、英特爾有望借助于與IBM的合作,未來能夠更快的實(shí)現(xiàn)2nm工藝的量產(chǎn)。
 
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