7月1日，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司發(fā)生工商變更，新增股東華為關(guān)聯(lián)公司深圳哈勃科技投資合伙企業(yè) (有限合伙)，同時(shí)公司注冊(cè)資本由約 9027 萬(wàn)元人民幣增至約 9770 萬(wàn)元人民幣，增幅超 8%。
企查查信息顯示，該公司成立于 2009 年，法定代表人為李錫光，經(jīng)營(yíng)范圍包含：研發(fā)、生產(chǎn)、銷售：碳化硅外延晶片，半導(dǎo)體材料及器件等。
據(jù)悉，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司位于廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)園區(qū)，是我國(guó)首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅 (SiC) 外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。2010 年，天域半導(dǎo)體與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所合作成立了“碳化硅技術(shù)研究院”，組成了一支國(guó)內(nèi)頂尖的技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)。
據(jù)了解，經(jīng)過(guò)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，基于硅材料的功率半導(dǎo)體器件的性能已經(jīng)接近其物理極限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開(kāi)始受到重視。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開(kāi)始，正在逐漸進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代。
