近日，由南方科技大學電子系、香港科技大學先進顯示與光電子國家重點實驗室、中科院蘇州納米所組成的聯合攻關團隊在深紫外Micro-LED與超寬色域顯示技術領域取得進展，相關結果發表于電子領域頂級期刊IEEE Electron Device Letters。

 

基于AlGaN的深紫外Micro-LED在光電與顯示、生物醫學、大健康等領域備受矚目。在本研究中，研發團隊設計并制備了不同規格的深紫外Micro-LED陣列器件，像素尺寸從10×10 μm2 到200×200 μm2，其中10×10 μm2 的Deep-UV Micro-LED在連續波發光情況下，最高亮度達到了185 W/cm2，最高外量子效率達到了3.43%，是目前同類型深紫外Micro-LED器件的最高外量子效率。

此外，該研究采用深紫外Micro-LED陣列作為激發源，采用色轉換的方法使三色量子點薄膜發光，達到了Rec. 2020標準121%（或為NTSC標準179%）的超寬色域，這是目前已知顯示技術中報道的最寬色域值，展現了該技術在未來新型顯示領域的應用中具有很大的潛力。

原文題目：AlGaN-based Deep-UV Micro-LED Array for Quantum Dots Converted Display with Ultra-wide Color Gamut

 

通訊作者：南方科技大學電子系 Zhaojun Liu (e-mail: liuzj@sustech.edu.cn)

 

論文作者：Feng Feng, Ke Zhang, Yibo Liu, Yonghong Lin, Ke Xu, Hoi Sing Kwok, and Zhaojun Liu

 

原文鏈接：https://doi.org/10.1109/LED.2021.3130750

 

致謝：本文作者感謝香港科技大學納米系統制造實驗中心(Nanosystem Fabrication Facility)、深圳思坦科技有限公司 、蘇州納維科技有限公司提供技術支持。感謝香港科技大學劉紀美教授、臺灣交通大學郭浩中教授、香港城市大學何志浩教授、南方科技大學孫小衛教授、于洪宇教授、王愷教授、北京大學深圳研究生院林信南教授等各方給予的指導和幫助。