5月19日消息，德州儀器今日宣布其位于德克薩斯州謝爾曼（Sherman）的全新12英寸半導(dǎo)體晶圓制造基地正式破土動工。德州儀器董事長、總裁及首席執(zhí)行官譚普頓（Rich Templeton）先生在動工儀式上慶祝該基地建設(shè)正式開始，并重申了德州儀器致力于擴(kuò)大長期的自有制造能力的承諾。
 

譚普頓先生表示：“今天是一個(gè)重要的里程碑，我們將為半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的發(fā)展奠定基礎(chǔ)，以滿足客戶未來幾十年的需求。公司成立90多年以來，我們一直致力于通過半導(dǎo)體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟(jì)實(shí)用，讓世界更美好。我們很高興謝爾曼先進(jìn)的12英寸半導(dǎo)體晶圓制造基地將幫助TI持續(xù)提升制造能力和技術(shù)競爭優(yōu)勢。”
 

此項(xiàng)目投資約300億美元，計(jì)劃建造四座工廠以滿足長期的市場需求。這些新工廠每天將制造數(shù)千萬顆模擬和嵌入式處理芯片，廣泛地應(yīng)用于全球市場的各類電子產(chǎn)品領(lǐng)域。
 

據(jù)悉謝爾曼晶圓制造基地中的首座工廠預(yù)計(jì)于2025年開始投產(chǎn)。該晶圓制造基地將加入TI現(xiàn)有的12英寸晶圓制造廠陣營，包括德州達(dá)拉斯（Dallas）DMOS6；位于德州理查森（Richardson）的RFAB1和即將竣工并預(yù)計(jì)于2022年下半年開始投產(chǎn)的RFAB2；以及位于猶他州李海（Lehi）預(yù)計(jì)于2023年初投產(chǎn)的LFAB。譚普頓先生表示：“我們對長期產(chǎn)能的持續(xù)投資，將進(jìn)一步提升公司的成本優(yōu)勢，并加強(qiáng)對供應(yīng)鏈的控制能力。”
 

一直以來，TI對長期產(chǎn)能持續(xù)投資，不斷提升制造能力和技術(shù)競爭優(yōu)勢，以支持客戶未來幾十年的增長。TI在中國成都的生產(chǎn)制造基地集晶圓制造、封裝、測試、凸點(diǎn)加工和晶圓測試為一體，目前正在擴(kuò)建第二座封裝/測試廠房。