梁駿吾院士，1933年9月18日生于湖北武漢。1955年畢業于武漢大學，1956年至1960年就讀于前蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所并獲得副博士學位，同年到中國科學院半導體研究所工作至今。60多年來，他為我國半導體材料領域的學科建設、技術創新、產業振興以及人才培養作出了重要貢獻。梁駿吾院士先后榮獲國家科委科技成果二等獎和新產品二等獎各1次，國家科技進步三等獎1次、中科院重大成果和科技進步一等獎3次、二等獎4次，上海市科技進步二等獎1次等各種科技獎共20余次。1997年當選中國工程院院士。

 

梁駿吾院士在半導體材料科學領域辛勤耕耘、造詣頗深，并取得了一系列重要科研成果。上世紀60年代解決了高純區熔硅的關鍵技術。1964年制備出室溫激光器用GaAs液相外延材料。1979年研制成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優質硅區熔單晶。80年代首創了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。主持“七五”、“八五”重點硅外延攻關，完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究。他還在太陽電池用多晶硅的研究和產業化等方面發揮著積極作用。

 

梁駿吾院士甘為人梯、提攜后進，在教育戰線上辛勤耕耘60余載，傾注了大量心血和汗水，培養和造就了一大批德才兼備的專業人才，對我國半導體材料科學事業的發展和半導體材料學領域的人才培養作出了重要貢獻。