（紫外探測(cè)器芯片結(jié)構(gòu)示意圖）

 

至芯半導(dǎo)體的研究人員通過(guò)重新排列紫外探測(cè)器芯片結(jié)構(gòu)，在芯片中引入半導(dǎo)體倍增層，使得基于該芯片所制備的紫外探測(cè)器具有倍增性能，改善了電流擴(kuò)展和應(yīng)力分布均勻性，提高了AlInGaN半導(dǎo)體紫外探測(cè)器的光譜響應(yīng)性能。芯片包括從下到上依次層疊的襯底1、半導(dǎo)體緩沖層2、半導(dǎo)體層4、第一N型半導(dǎo)體層5、第二N型半導(dǎo)體層6、紫外光吸收層7、N型半導(dǎo)體隔離層8、半導(dǎo)體倍增層9、P型半導(dǎo)體傳輸層10和P型半導(dǎo)體接觸層12。該芯片通過(guò)引入半導(dǎo)體倍增層9，使得探測(cè)器的倍增效果明顯增加。

 

由于AlGaN材料內(nèi)部有很多的位錯(cuò)密度，導(dǎo)致AlGaN紫外探測(cè)器存在暗電流大，光譜響應(yīng)度較低等問(wèn)題。 研究團(tuán)隊(duì)在深入分析上述問(wèn)題的基礎(chǔ)上，將芯片還包括組分交替的半導(dǎo)體超晶格層3，位于半導(dǎo)體緩沖層2和半導(dǎo)體層4之間。通過(guò)在芯片結(jié)構(gòu)中引入組分交替的半導(dǎo)體超晶格層3，能夠改善AlInGaN的材料質(zhì)量，降低探測(cè)器的暗電流，進(jìn)而在器件倍增的過(guò)程中，暗電流的倍增對(duì)器件整體的倍增效應(yīng)影響較小，能夠提高紫外探測(cè)器的光譜響應(yīng)度。該科研成果的出爐，使其日盲深紫外探測(cè)器可在陽(yáng)光環(huán)境條件下對(duì)深紫外光信號(hào)進(jìn)行探測(cè)，實(shí)現(xiàn)殺菌消毒和日盲通信等跨領(lǐng)域應(yīng)用功能的集成，并在軍事、國(guó)防和科研領(lǐng)域具有非常重要的應(yīng)用。

 

至芯半導(dǎo)體秉持團(tuán)隊(duì)協(xié)作、持續(xù)創(chuàng)新、嚴(yán)于執(zhí)行及專于紫外的經(jīng)營(yíng)理念，以卓越的科技創(chuàng)新能力打造豐富的行業(yè)解決方案，同時(shí)開(kāi)發(fā)出高靈敏度的日盲探測(cè)芯片，實(shí)現(xiàn)日盲光通信的應(yīng)用，構(gòu)建開(kāi)放共贏的產(chǎn)品生態(tài)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的規(guī)范建設(shè)，助力紫外殺菌、探測(cè)和通訊等各行各業(yè)的發(fā)展。

（來(lái)源：至芯半導(dǎo)體）