（紫外探測器芯片結構示意圖）

 

至芯半導體的研究人員通過重新排列紫外探測器芯片結構，在芯片中引入半導體倍增層，使得基于該芯片所制備的紫外探測器具有倍增性能，改善了電流擴展和應力分布均勻性，提高了AlInGaN半導體紫外探測器的光譜響應性能。芯片包括從下到上依次層疊的襯底1、半導體緩沖層2、半導體層4、第一N型半導體層5、第二N型半導體層6、紫外光吸收層7、N型半導體隔離層8、半導體倍增層9、P型半導體傳輸層10和P型半導體接觸層12。該芯片通過引入半導體倍增層9，使得探測器的倍增效果明顯增加。

 

由于AlGaN材料內部有很多的位錯密度，導致AlGaN紫外探測器存在暗電流大，光譜響應度較低等問題。 研究團隊在深入分析上述問題的基礎上，將芯片還包括組分交替的半導體超晶格層3，位于半導體緩沖層2和半導體層4之間。通過在芯片結構中引入組分交替的半導體超晶格層3，能夠改善AlInGaN的材料質量，降低探測器的暗電流，進而在器件倍增的過程中，暗電流的倍增對器件整體的倍增效應影響較小，能夠提高紫外探測器的光譜響應度。該科研成果的出爐，使其日盲深紫外探測器可在陽光環境條件下對深紫外光信號進行探測，實現殺菌消毒和日盲通信等跨領域應用功能的集成，并在軍事、國防和科研領域具有非常重要的應用。

 

至芯半導體秉持團隊協作、持續創新、嚴于執行及專于紫外的經營理念，以卓越的科技創新能力打造豐富的行業解決方案，同時開發出高靈敏度的日盲探測芯片，實現日盲光通信的應用，構建開放共贏的產品生態，推動產業的規范建設，助力紫外殺菌、探測和通訊等各行各業的發展。

（來源：至芯半導體）