韓媒 The Elec 報道，韓國半導體公司周星工程（Jusung Engineering）最新研發出原子層沉積（ALD）技術，可以在生產先進工藝芯片中降低極紫外光刻（EUV）工藝步驟需求。極紫外光刻（EUV）又稱作超紫外線平版印刷術，是一種使用極紫外光波長的光刻技術，目前用于 7 納米以下的先進制程，于 2020 年得到廣泛應用。

周星工程董事長 Chul Joo Hwang 表示當前 DRAM 和邏輯芯片的擴展已達到極限，因此需要像 NAND 一樣，通過堆疊晶體管的方式克服這個問題。半導體行業如果想要把晶體管微縮到更小尺寸，一種方案就是堆疊晶體管，其中一個佐證是深紫外線（DUV）設備有望用于生產 3D DRAM。

Hwang 說，隨著堆疊變得越來越重要，ALD 機器的需求也將增加。III-V 和 IGZO 半導體的生產也需要 ALD 設備。

（來源：IT之家）