天眼查知識產權信息顯示，蘇州漢驊半導體有限公司取得一項名為“深紫外 LED 芯片及其制備方法“，授權公告號 CN115566118B ，申請日期為 2022 年 10 月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種深紫外 LED 芯片及其制備方法，包括：外延結構，所述外延結構包括依次堆疊設置的襯底、N 型層、有源發光層、P 型層和 P 型接觸層，所述 P 型層為光反射性的 P 型層，所述外延結構形成有自所述 P 型接觸層延伸至所述 N 型層的通孔，所述外延結構還包括覆蓋所述通孔側壁的絕緣介質層和覆蓋至少部分所述絕緣介質層的第一導電層，所述第一導電層電連接所述通孔底部的所述 N 型層；所述外延結構還包括 N 型電極和 P 型電極，所述 N 型電極電連接所述第一導電層，所述 P 型電極電連接所述 P 型接觸層；基板，所述外延結構設置在所述基板上，且所述襯底背向所述基板。通過采用倒裝芯片設計，高反射電極可以進一步提高 UVC 光的出光效率。