LED材料、裝備技術取得新進展

       ——CHINASSL2013材料與裝備技術會議召開

“硅襯底外延和熒光粉新材料的實驗都取得了可以展示的成果，這對企業提高設備的優良出品率以及國內企業在新材料上突破國外專利封鎖均有積極意義。”

“Michael Heuken教授關于不同情況下對翹區的影響，對企業啟發很大，原來只是買來MOCVD，但并沒有考慮到監控這方面的東西。實際上，隨著襯底片從2襯到4襯再到6襯，這個問題越來越嚴重，Michael Heuken教授的報告很及時，正好解決了企業面臨的問題。”

10日下午，CHINASSL2013之分會——材料與裝備技術會議(1)在北京昆泰酒店8-9號會議室召開。七八十人的會議室座無虛席。來自產業各界的代表，前來聽取包括中科院半導體研究所照明中心、南京工業大學電光源材料科學研究所、飛利浦、愛思強、中微半導體設備有限公司、塞倫光電以及北京北方微電子和山東浪潮華光光電子等國際國內知名材料和設備廠商代表關于材料和裝備技術的實驗室新成果。南京大學電子學院博士生導師、南京大學揚州光電研究院院長陳鵬教授主持了本次會議。

中科院半導體研究所照明中心副研究員劉志強首先介紹了《低維結構—GaN LED的潛在發展趨勢》，由于氮化物發光二極管主要基于平面InGaN/GaN多量子阱支撐，并且表現出了可喜的性能，但同時這種傳統平面結構也存在一些問題，使其進一步發展受到制約，而通過利用商用MOCVD系統制備特別設計的多層InGaN量子點，同時利用選取外延方法制備獨特的金字塔陣列InGaN/GaN核殼結構LED，結果顯示，低維結構是進一步提高氮化物發光二極管的有力手段，并且，低維結構在實現單芯片白光發射方面有其潛在優勢。

飛利浦研究中心資深研究員徐庶帶來了《開發空氣中穩定的量子點熒光粉用于LED照明》的相關技術，由于本人因公出差不能到會，又不愿錯過此次交流的機會，專門委派代表進行了相關介紹。

愛思強研發副總裁Michael Heuken教授就《在耦合蓮蓬反應室中現場測量在干法刻蝕圖形化的藍寶石襯底上的LED MOCVD生長》做了介紹和解讀。該項技術得到了與會企業的普遍關注和好評。主持人陳鵬教授和華延芯光(北京)科技有限公司林岳名博士給出了文中開始的高度評價。

隨后，塞倫光電有限公司的Bedwyr Humphreys介紹了《開發高質量、低缺陷密度半極化和非極化氮化鎵模板》的做法，實驗表明，利用納米柱技術，成功實現了非極性和半極性GaN FWHM的有效降低，同時隨著方法的成熟，GaN的性能將得到進一步的改善。在高質量a面GaN襯底上生長的InGaN/GaN多量子阱結構現實了優秀的光學性質。

北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任在公司副總裁丁培軍介紹了《Sputter技術在LED芯片亮度提升中的應用》，該技術現場引發劉志強副研究員的強烈興趣，雙方表示會后可進一步進行交流探討。

茶歇后，Michael Heuken教授就《MOCVD行星反應室中的硅基LED的Tuning》再次上臺與聽眾分享，南京工業大學點光源材料科學研究所所長王海波教授則介紹了《藍光激發的連續光譜熒光粉和遠程技術的研究》，也是這項研究，陳鵬教授評價該技術若能進一步提高轉換效率至市場通用平均水平，國內企業在熒光粉新材料應用方面取得突破可期，而從材料上突破國際企業的專利封鎖，是一個非常好的技術通道。

最后，山東浪潮華光光電子股份有限公司工程師沈燕介紹了《通過改變氧流量蒸發不同形貌ITO薄膜》技術的實驗應用。

針對本次會議展示的技術成果，陳鵬教授認為，會議展示的技術其實都是原有材料和設備技術的進一步優化。LED技術發展多年以來，普通技術企業都掌握，但如何做的更好，各有看法。雖有看法，但又缺乏實驗數據。這次會議當中就給出了一些比較有意義的數據和一些明確的改進方向，如在PS上面控制翹區，芯片工藝里面用ITO時，注重它的折射率等，這些都是非常具體的優化技術，而這些畫龍點睛的技術，有效提升了LED的產業技術，“這可以說是這次技術會議最實質的結果和最大價值。”