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挪威科技大學與IBM合作研究GaAs LED晶體結構以提升效率

放大字體  縮小字體 發布日期:2014-04-19 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:58

中國半導體照明網譯  挪威科技大學的最新研究表明單根納米線的微小改變能夠大幅度提升LED和太陽能電池的效率。來自挪威科技大學的研究員Dheeraj Dasa和Helge Weman正在與IBM進行合作,研究結果使得砷化鎵LED或光電探測器的效率得以大幅度提升,而這要得力于研究人員在實驗室中成功生長出來的六方晶體結構,或稱作纖維鋅礦結構。這一研究成果已發表在《自然通訊》期刊上。

挪威科技大學近年來在納米線和石墨烯的研究方面取得了多項進展和突破。專業從事納米線生長研究的人員在納米線的生長過程中成功實現對晶體結構的控制。通過改變物質的晶體結構,即原子的位置,物質獲得了全新的屬性。研究人員已發現改變由砷化鎵或其他半導體組成的納米線的晶體結構的方法。

實驗室的其他研究成果還包括在石墨烯材料上生長半導體納米線等,并且已將研究成果轉化為商業運作,由Helge Weman等主要研究人員共同建立了Crayonano AS公司。Weman先生表示公司下一步將開展生長用于白光LED的氮化鎵納米線的業務。

 
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