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美國(guó)新技術(shù):可用于生長(zhǎng)半導(dǎo)體石墨烯帶及客製其能隙的

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2015-08-20 來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察瀏覽次數(shù):65
   石墨烯本身缺乏能隙(bandgap),使其得以展現(xiàn)超過(guò)每伏特每秒15,000平方公分(cm2/Vs)的驚人速度,比硅晶更快10倍,但卻也只能作為導(dǎo)體使用。而今,由美國(guó)威斯康辛大學(xué)(University of Wisconsin)教授Michael Arnold帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)以及阿貢國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Argonne National Laboratory)的研究人員們,發(fā)現(xiàn)一種可用于生長(zhǎng)半導(dǎo)體石墨烯帶(graphene ribbon)及客製其能隙的新技術(shù)。
 
  「我們已經(jīng)找到一種方法可生長(zhǎng)不到10nm寬的半導(dǎo)體石墨烯帶,它具有扶手型邊緣(armchair edge),可經(jīng)由控制納米帶寬度實(shí)現(xiàn)各種不同的能隙,」Arnold解釋。
 
「扶手型邊緣」石墨烯納米帶沉積于鍺基板上的示意圖
 
  研究人員早已知道在石墨烯帶利用扶手型邊緣取代鋸齒型邊緣,可望為其打開能隙,使其從導(dǎo)體變成一種半導(dǎo)體。然而,時(shí)至今日,生長(zhǎng)石墨烯最簡(jiǎn)單的方法是在銅金屬上進(jìn)行,然后再將其移植到硅基板上蝕刻成帶狀。Arnold的研究團(tuán)隊(duì)最主要的發(fā)現(xiàn)是能夠直接在低成本的鍺表面上更輕易地生長(zhǎng)扶手型邊緣的石墨烯帶,從而使其成為一種較硅晶更快10倍的客製半導(dǎo)體。
 
沉積于鍺基板的窄納米帶特寫(虛線用于顯示納米帶邊緣)
 
  「我認(rèn)為威斯康辛大學(xué)的研究成果傳達(dá)了這樣的一個(gè)訊息:你并不需要擁有像英特爾(Intel)或IBM的資源,也能在石墨烯上實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展,」The Envisioneering Group研究總監(jiān)Richard Doherty表示:「在材料科學(xué)方面,還有許多值得我們學(xué)習(xí)之處,而化學(xué)與石墨烯的佈局或許還有更多需要進(jìn)一步的探索。」
 
  鍺晶圓比硅晶圓更便宜,讓Arnold及其研究團(tuán)隊(duì)決定直接在鍺晶圓上生長(zhǎng)原子級(jí)的石墨烯薄層,但根據(jù)Arnold指出,利用化學(xué)氣相沉積(CVD)先在鍺單層上沉積,也可以在硅晶圓上取得相同的結(jié)果。
 
  「其關(guān)鍵在于鍺與石墨烯之間的晶格匹配,使得利用標(biāo)準(zhǔn)CVD也能輕鬆生長(zhǎng)箭頭直線型的石墨烯帶,」Arnold表示。
 
  三張漸進(jìn)視圖顯示石墨烯納米帶彼此之間如何僅相互垂直生長(zhǎng)與形成。
 
  Arnold的團(tuán)隊(duì)還發(fā)現(xiàn)了一個(gè)奇怪的現(xiàn)象:在利用CVD途徑時(shí),石墨烯納米帶似乎會(huì)以隨機(jī)的方式生長(zhǎng),全部採(cǎi)任一方向或彼此垂直的方式生長(zhǎng)(如上圖)。現(xiàn)在,研究人員想找到能夠限制在電路位置精確啟動(dòng)納米帶集結(jié)生長(zhǎng)的方式。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo),研究團(tuán)隊(duì)想知道石墨烯為什麼以及如何挑選特定位置開始生長(zhǎng);此外,他們也打算利用這些知識(shí)打造像石墨烯電晶體、感測(cè)器與光電元件等複雜的電路。

 
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