第三代半導體國際論壇（IFWS）是由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，以推進第三代半導體材料、裝備、器件及相關應用的全產業鏈協同創新為目標的全球性高端論壇。本屆論壇將圍繞第三代半導體技術發展路線、應用需求、集成創新等內容，分多個分會作深入探討。
大會主席
· 中村修二，美國加州大學圣塔芭芭拉分校工程學院材料系教授，2014年諾貝爾物理學獎得主
· Braham Ferreira， 荷蘭代爾夫特理工大學教授，IEEE電力電子協會主席
· 曹健林，中華人民共和國科學技術部原副部長
· 鄭有炓， 南京大學電子科學與工程學院教授, 中國科學院院士
支持單位
國家科學技術部
國家發展與改革委員會
國家工業與信息產業部
北京市人民政府
主辦單位
北京市科學技術委員會
北京市順義區政府
承辦單位
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
顧問委員會
主任
甘子釗——中國科學院院士、北京大學教授
趙玉海——原科技部高新技術發展及產業化司司長
委員
周炳琨——中國科學院院士、原中國光學學會理事長
王占國——中國科學院院士、中科院半導體所教授
周孝信——中國科學院院士、中國電力科學研究院名譽院長
曹鏞——中國科學院院士、華南理工大學教授
夏建白——中國工程院院士、中科院半導體所研究員
許寧生——中國科學院院士、復旦大學校長
陳星弼——中國科學院院士、成都電子科技大學教授
邱勇——中國科學院院士、清華大學校長
李樹深——中國科學院院士、中國科學院半導體所研究員
陳良惠——中國工程院院士、中科院半導體所研究員
王立軍——中國科學院院士、中科院長春光學精密機械與物理研究所研究員
鄔江興——中國工程院院士、解放軍信息工程大學教授
李述湯——中國科學院院士、蘇州大學科學技術學院院長
吳孔明——中國工程院院士、中國農業科學院副院長
苗治民——工業和信息化部原材料工業司副司長
曹國英——科學技術部高新技術及產業化司副司長
賈復生——國家節能中心主任
閆傲霜——北京市科學技術委員會主任
康義——中國有色金屬學會理事長
邴樹奎——中國照明學會理事長
李寶山——中國可再生能源協會秘書長
Warren Julian——澳大利亞和新西蘭照明工程學會（IESANZ）主席、悉尼大學教授
Evgeny Dolin——俄羅斯半導體照明聯盟（NPRPSS ) 秘書長
Bob Karlicek——美國智能照明工程技術研究中心主任、 美國倫斯勒理工學院教授
ShyamSujan——印度照明學會（ELCOMA) 秘書長
論文征集
論壇長期與IEEE合作。投稿給IFWS的優質論文，會被遴選在IEEE Xplore?電子圖書館發表。
分會S1. 碳化硅電力電子器件技術
分會主席：
邱宇峰——國家電網全球能源互聯網研究院副院長
盛況——教育部長江學者，浙江大學特聘教授，博導
外方主席：
Tat-sing Paul Chow——倫斯勒理工大學教授
分會征文重點內容：
碳化硅電力電子器件具備更高的效率、更高的開關頻率和更高的工作溫度，在新能源發電、電動汽車等一些重要領域展現出其巨大的應用潛力。碳化硅電力電子器件的持續進步將對電力電子技術領域的發展起到重要的推動作用。本分會的主題涵蓋SiC襯底、同質外延、電力電子器件、模塊封裝和應用技術。分會廣泛征集優秀研究成果，將邀請國內外知名專家參加本次會議，充分展示碳化硅電力電子器件技術及其應用的最新進展。
征文方向：
-SiC襯底及襯底生長技術
-SiC同質外延生長技術
-SiC材料缺陷與表征
-SiC電力電子器件技術?
-SiC電力電子器件可靠性
-SiC電力電子器件封裝技術
-SiC電力電子應用
-SiC電力電子技術的市場研究
分會S2. 氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術
分會主席：
張榮——山東大學校長、教授
張國義——北京大學物理學院教授，北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任
外方主席：
Fred Lee——弗吉尼亞理工大學教授，美國工程院院士
分會征文重點內容：
寬禁帶半導體氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。除了碳化硅和氮化鎵電力電子器件外，具有更高性能潛力的金剛石、氧化鎵等其它新型寬禁帶半導體電力電子器件近年來也不斷獲得技術的突破。本分會的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結構與生長、氮化鎵電力電子器件的新結構與新工藝開發、高效高速氮化鎵功率模塊設計與制造，氮化鎵功率應用與可靠性以及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件等。將邀請國內外知名專家參加本次會議，呈現氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件研究與應用的最新進展
征文方向：
-大尺寸襯底上GaN基異質結構外延生長和缺陷、應力控制
-GaN基電力電子器件技術
-GaN襯底材料和厚膜同質外延
-GaN電力電子器件可靠性
-GaN器件封裝技術
-GaN電力電子應用
-GaN電力電子技術的市場研究
-其他第三代半導體電子材料與器件
分會S3. 第三代半導體與新一代移動通信技術分會
分會主席：
張乃千——蘇州能訊高能半導體有限公司董事長
蔡樹軍——中國電子科技集團公司第十三研究所副所長
外方主席：
王康隆——加州大學洛杉磯分校教授
分會征文重點內容：
第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。本分會的主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信中的應用等各方面。擬邀請國內外知名專家參加會議，呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。
征文方向：
-高性能微波GaN器件技術
-用于高性能微波器件的GaN外延技術
-GaN微波集成電路技術
-GaN微波器件的可靠性
-GaN微波器件的大信號等效電路模型與物理模型
-GaN器件和電路在移動通信中的應用
分會S4. 第三代半導體與固態紫外器件技術分會
分會主席：
徐科——中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米測試中心研究員，博導，主任
張韻——中科院半導體研究所所長助理、研究員
外方主席：
Russell Dupuis——佐治亞理工學院教授
分會征文重點內容：
第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。本分會將重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先進封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。分會面向全球廣泛征集優秀研究成果，并將邀請多名國際知名專家參加本次會議，力圖全面呈現第三代半導體紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。
征文方向：
-寬禁帶半導體紫外發光材料及新型襯底
-寬禁帶半導體紫外探測材料
-高效量子結構設計與生長
-高效固態紫外發光器件
-高靈敏度紫外探測與成像器件
-紫外封裝與模組的光提取、熱管理及可靠性
-紫外光源與探測應用新進展
征文流程
1.作者提交論文擴展摘要（Extended Abstract）。
2.通知作者投稿錄用方式：口頭報告、POSTER與入刊會議論文集等。
3.作者依據組委會的錄用通知準備材料：
1)口頭報告：作者需準備論文與演示文件（PPT/PDF）；
2)POSTER：作者需準備論文與POSTER文件（組委會將對POSTER進行編號并告知作者。作者攜帶制作好的POSTER至會議舉辦地點并按照編號在POSTER展示區域自行張貼）
3)入刊會議論文集：作者需準備論文。作者需要根據論文模板準備論文全文。
注：
1)官方網站（http://www.ifws.org.cn/en/paper/）提供模板下載，請作者務必按照相應模板和時間要求準備材料，以便順利通過論文審核。
2)優質論文會被遴選在IEEE Xplore Digital Library發表，IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。
征文要求
1.基本要求：
1) 尚未在國內外公開刊物或其他學術會議上發表過的論文。
2) 主題突出，內容層次分明，數據準確，論述嚴謹，結論明確，采用法定計量單位。
2.摘要要求：
投稿者需按照組委會提供的模板編寫擴展摘要。
3.全文要求：
按照組委會提供的模板排版全文，論文全文格式要求為WORD，內容不超過4頁。
4.語言要求：
1) 作者須提交文體規范的英文摘要/POSTER/論文；
2) 演講語言可以使用中文或英文，但必須用英文演示（PPT或PDF文檔）。
注：含有商業性宣傳內容的論文，不予安排在論壇演講。
重要期限及提交方式
1.論文摘要提交截止日期：2016年7月15日
2.論文摘要錄用通知：2016年8月1日
3.論文全文提交截止日期：2016年9月15日
4.論文全文錄用通知：2016年10月15日
5.口頭報告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2016年10月28日
投稿請聯系：
白璐（Lu BAI)
白璐（Lu BAI)
電話：010-82387600-602
郵箱：papersubmission@china-led.net
參會報名及更多信息，請至http://www.ifws.org.cn/
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賈欣龍 Frank Jia
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