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“專業(yè)化”助力打造眾創(chuàng)空間新生態(tài)

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2016-07-05 來源:中國半導體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):535
  ——專業(yè)化眾創(chuàng)空間高峰論壇暨首屆國際第三代半導體創(chuàng)新大賽啟動儀式圓滿召開
 
  為鼓勵龍頭骨干企業(yè)、科研院所、高校圍繞主營業(yè)務方向、優(yōu)勢專業(yè)領域建設眾創(chuàng)空間,促進眾創(chuàng)空間專業(yè)化發(fā)展,7月2日下午,由北京市科委指導,北京眾創(chuàng)空間聯(lián)盟、首都創(chuàng)新大聯(lián)盟主辦,第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟承辦的“專業(yè)化眾創(chuàng)空間高峰論壇暨首屆國際第三代半導體創(chuàng)新大賽啟動儀式”在北京文津國際酒店隆重召開。科技部原副部長曹健林、科技部高新司原司長趙玉海、科技部高新司副司長曹國英、中國科學學與科技政策研究會副理事長李新男、科技部火炬中心孵化器處處級調研員隋志強、北京市科委高新處處長王金勇、首都創(chuàng)新大聯(lián)盟理事長吳玲等相關領導、以及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟代表、眾創(chuàng)空間代表、政企代表、行業(yè)專家學者、行業(yè)媒體等出席了本次論壇。
    科技部原副部長曹健林致辭
  科技部高新司副司長曹國英致辭
 
  科技部原副部長曹健林致辭指出,大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新是科學進步的產(chǎn)物,是政府促進科學技術的發(fā)展,是中國用科學技術推動經(jīng)濟發(fā)展的一個特殊抓手。他還表示,國際第三代半導體創(chuàng)新大賽是專業(yè)化眾創(chuàng)空間努力探索的最新產(chǎn)物。
 
  科技部高新司副司長曹國英致辭指出,專業(yè)化眾創(chuàng)空間與開放式創(chuàng)新一脈相承。相信通過今天專業(yè)化眾創(chuàng)空間高峰論壇的舉辦,一定會為第三代半導體的創(chuàng)新發(fā)展帶來了新的機遇,帶來了更好的發(fā)展動力。
 
  創(chuàng)新競技,開啟專業(yè)化眾創(chuàng)新未來
 
  為了進一步打造產(chǎn)學研用緊密結合的專業(yè)化眾創(chuàng)空間,吸引更多科技人員投身于科技型創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)聯(lián)合國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)在2016年6月—10月期間,舉辦以“黃金半導•創(chuàng)新未來”為主題的首屆國際第三代半導體創(chuàng)新大賽。本次大賽也是中國—北京創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽季(2016)加盟賽,承辦單位是北京半導體照明科技促進中心、北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司、廣東省半導體照明產(chǎn)業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新中心、廣州創(chuàng)新建怡科技投資管理有限公司。大賽啟動儀式上,曹健林副部長、趙玉海司長、曹國英副司長、李新男副理事長、吳玲理事長等共同按下啟動球,宣布本次大賽正式啟動。
 
啟動儀式
  本屆大賽以產(chǎn)業(yè)導向、市場需求為核心,注重激發(fā)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)內在活力,提高科技創(chuàng)新轉化速度。啟動儀式后,首都眾創(chuàng)空間聯(lián)盟秘書長、北京創(chuàng)業(yè)孵育協(xié)會秘書長劉志廣現(xiàn)場發(fā)布企業(yè)命題。TCL集團股份有限公司、洛可可集團、大唐有限公司、中興通訊股份有限公司、羅姆半導體(中國)有限公司發(fā)布的命題內容涵蓋工業(yè)設計、消費電子、移動通信、新材料、集成智能傳感器等多個領域。企業(yè)命題具體內容可在官網(wǎng)上查看。
 
  據(jù)大賽組委會介紹,首屆國際第三代半導體創(chuàng)新大賽,將通過明星導師輔導、創(chuàng)客展示、專家點評評選以及公眾參與等方式,評選出最佳創(chuàng)新項目,在給予這些創(chuàng)新項目獎勵的同時,大賽組委會還將幫助這些項目與產(chǎn)業(yè)、資本對接,促進創(chuàng)新成果轉化為生產(chǎn)力,推動行業(yè)快速發(fā)展。
 
  劉志廣秘書長對大賽進行了介紹,本屆大賽圍繞第三代半導體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應用及設計與仿真方面的技術應用創(chuàng)新、外觀等周邊應用產(chǎn)品創(chuàng)新以及商業(yè)模式的創(chuàng)新等內容征集參賽項目。本屆大賽的亮點在于:一是企業(yè)發(fā)布命題,參賽者可以通過相關命題組建研發(fā)項目;二是獲獎項目可直接參加中國?北京創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽季(2016)總決賽;三是優(yōu)秀項目還將獲得大賽組委會提供的孵化基金的直接投資;四是大賽組委會將推薦優(yōu)秀項目入駐北京國際第三代半導體眾聯(lián)空間和中山造明公社,享受孵化服務。
 
  聯(lián)合協(xié)作,共同打造嶄新平臺
 
  為了共同推進“雙創(chuàng)”的整體效能,進一步提升校、地、企、聯(lián)、專各方在政策、市場、渠道、資源等優(yōu)勢,支持更多有理想、有意愿、有能力的市場創(chuàng)業(yè)主體脫穎而出,加快雙創(chuàng)項目產(chǎn)業(yè)化及傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉型升級,第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中關村智能硬件產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、北京國知創(chuàng)投科技有限公司、北京市良鄉(xiāng)高教園區(qū)管委會、TCL集團股份有限公司研究院、大唐網(wǎng)絡有限公司、啟迪清科(北京)科技有限公司在論壇現(xiàn)場共同簽署聯(lián)合推進“雙創(chuàng)”戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。
 
  曹健林副部長、趙玉海司長、曹國英副司長、李新男副理事長等領導為《聯(lián)合推進“雙創(chuàng)”戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》助簽。
 
   多方共同簽署《聯(lián)合推進“雙創(chuàng)”戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》
   《聯(lián)合推進“雙創(chuàng)”戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》的簽訂,建立了一種探索專業(yè)化眾創(chuàng)空間與國家試點單位“共建平臺,共同孵化,共享成果”的新型合作模式,為專業(yè)化眾創(chuàng)空間的發(fā)展開創(chuàng)了新的局面,為專業(yè)化眾創(chuàng)空間的打造提供了更多的優(yōu)勢資源。
 
  高端對話,深度探討專業(yè)化發(fā)展之路
 
  去年以來,全國眾創(chuàng)空間數(shù)量猛增,勢頭喜人,但眾創(chuàng)空間出現(xiàn)的同質化、專業(yè)化服務不足等現(xiàn)象,引起了業(yè)界的重視。本次論壇以聯(lián)盟如何支撐專業(yè)化眾創(chuàng)空間發(fā)展;龍頭企業(yè)如何在眾創(chuàng)空間建設中搭建市場化服務平臺;專業(yè)化眾創(chuàng)空間如何整合上下游資源形成產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài);龍頭企業(yè)如何在眾創(chuàng)空間建設中搭建市場化服務平臺等問題展開討論,為專業(yè)化眾創(chuàng)空間的發(fā)展建言獻策。
 
  中國高新技術產(chǎn)業(yè)導報社社長魏谷、北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司副總經(jīng)理林蕓、國家知識產(chǎn)權局專利局專利審查協(xié)作北京中心專利服務部主任王嬌麗、北京校企促進合作協(xié)會秘書長、良鄉(xiāng)高教園區(qū)主任助理韓懷偉、TCL股份有限公司研究院副院長馬松林、大唐網(wǎng)絡有限公司總經(jīng)理助理劉君、洛可可集團洛客聯(lián)合創(chuàng)始人COO周志鵬等發(fā)表了精彩的演講。
 
   中國高技術產(chǎn)業(yè)導報報社社長魏谷演講
 
   北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司副總經(jīng)理林蕓演講
  國家知識產(chǎn)權局專利局專利審查協(xié)作北京中心專利服務部主任王嬌麗演講
 
  北京校企促進合作協(xié)會秘書長、良鄉(xiāng)高教園區(qū)主任助理韓懷偉演講
 
  TCL股份有限公司研究院副院長馬松林演講
 
   大唐網(wǎng)絡有限公司總經(jīng)理助理劉君演講
 
   洛可可集團洛客聯(lián)合創(chuàng)始人COO周志鵬演講
   據(jù)介紹,依托于第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟資源運作的國際第三代半導體眾聯(lián)空間,作為專業(yè)化眾創(chuàng)空間,其運營模式突出了特色專業(yè)化。通過整合專業(yè)領域的技術、設備、信息、資本、市場、人力等資源,為創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)者提供更具專業(yè)特色和定制化的增值服務。國際第三代半導體眾聯(lián)空間主要圍繞以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體器件和模塊的技術應用,以“生態(tài)+平臺+眾籌+體系+市場”五位一體孵化5.0模式,通過體制機制創(chuàng)新,從市場牽引、技術驅動兩頭推進,實現(xiàn)從裝備-材料-器件-模塊-應用的全面突破,形成可服務于上下游協(xié)同聯(lián)合創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈和價值鏈。
 
  隨著創(chuàng)新主體的不斷涌現(xiàn),創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)越來越重視科技元素,更加趨向理性,眾創(chuàng)空間正在向科技型、專業(yè)化發(fā)展!推動我國眾創(chuàng)空間的健康可持續(xù)發(fā)展,規(guī)范眾創(chuàng)空間專業(yè)化發(fā)展,打造眾創(chuàng)空間新生態(tài),將更大程度地釋放全社會創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)活力!
 
  背景資料:
 
  為了更好的整合國內和國際第三代半導體的優(yōu)勢資源,發(fā)掘、推廣和扶持國內優(yōu)秀第三代半導體創(chuàng)新項目,將國際上的優(yōu)秀創(chuàng)新技術和創(chuàng)新項目吸引到中國來,與中國的第三代半導體產(chǎn)業(yè)對接,助力中國第三代半導體行業(yè)發(fā)展提質增效,實現(xiàn)中國第三代半導體在世界舞臺的迅速崛起。在北京市科委的指導下,主辦單位第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA),承辦單位北京半導體照明科技促進中心、北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司、廣東省半導體照明產(chǎn)業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新中心、廣州創(chuàng)新建怡科技投資管理有限公司將在2016年6月—10月期間,舉辦以“黃金半導·創(chuàng)新未來”為主題的首屆國際第三代半導體創(chuàng)新大賽,通過明星導師輔導、創(chuàng)客展示、專家點評評選以及公眾參與等方式,評選出最佳創(chuàng)新項目,在給予這些創(chuàng)新項目獎勵的同時,大賽主委會還將幫助這些項目與產(chǎn)業(yè)、資本對接,促進創(chuàng)新成果轉化為生產(chǎn)力,為專業(yè)化眾創(chuàng)空間輸送新鮮的血液,提供蓬勃發(fā)展的動力。本次大賽也是中國—北京創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽季(2016)加盟賽。
 
  本屆大賽圍繞第三代半導體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應用及設計與仿真方面的技術應用創(chuàng)新、外觀等周邊應用產(chǎn)品創(chuàng)新以及商業(yè)模式的創(chuàng)新等內容征集參賽項目。大賽由初賽、復賽、半決賽、決賽四個環(huán)節(jié)組成,在華北、華南分設兩個賽區(qū),復賽、半決賽地點分別為北京、廣東,初賽與總決賽地點設在北京。第一階段初賽采取網(wǎng)絡評審的方式統(tǒng)一對參賽項目進行篩選,大賽組委會將審查合格的項目按領域分配到各分賽區(qū)進行復賽。第二階段復賽以現(xiàn)場競技進行,通過淘汰賽的方式產(chǎn)生優(yōu)秀團隊,根據(jù)大賽組委會分配的晉級名額從優(yōu)勝團隊中遴選推薦進入半決賽。第三階段半決賽通過視頻展示、現(xiàn)場演講、回答導師提問、業(yè)務交流等環(huán)節(jié)對項目的優(yōu)勢和市場前景進行闡述和展示,遴選出優(yōu)勝團隊進入總決賽。第四階段總決賽,將最終評選出企業(yè)組一等獎1名,獎金10萬,二等獎2名獎金5萬,三等獎3名獎金3萬,團隊組設一等獎和二等獎各1名,獎金各自為5萬和3萬,三等獎2名,獎金為2萬。
 
  除了獎金支持外,在總決賽中表現(xiàn)出眾的項目團隊,可直接獲得孵化基金,或根據(jù)其項目所涉及的領域,獲得對口的企業(yè)或投資機構與其深度對接。對于從區(qū)域賽脫穎而出的優(yōu)秀團隊,大賽組委會將根據(jù)其項目的應用領域等因素,推薦適合的導師進行決賽前的交流和輔導。此外,大賽組委會還將根據(jù)參賽團隊的需求和意愿,幫助其完成在中國市場相關的政策對接、法務、專利咨詢以及市場、資本和孵化場地等行業(yè)資源的對接性工作,助力優(yōu)秀項目進入中國市場。
 
  此次大賽還特設招賢榜,在6月20日到7月20日,大賽報名時同時啟動企業(yè)的技術難題、技術需求招募,參賽企業(yè)或團隊可根據(jù)官網(wǎng)發(fā)布的命題,自由選擇是否圍繞命題內容提交參賽作品,發(fā)布命題的企業(yè)可根據(jù)自身的需求應標或對接參賽企業(yè)。
 
  目前,首屆國際第三代半導體創(chuàng)新大賽報名已啟動,符合參賽條件的企業(yè)及團隊可統(tǒng)一在“首屆國際第三代半導體創(chuàng)新大賽”官網(wǎng)www.asi-base.com進行選手報名。報名截止時間將為8月30日。
 
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