本屆大會，將從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應(yīng)用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應(yīng)用峰會、合作論壇和創(chuàng)新大賽等多種形式，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置，包括碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)、第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件等多個專場重點討論。

　　其中，2016年11月16日召開的“氮化鎵及其他新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)”分會采用召集人+主席+分會團的模式，山東大學(xué)校長、教授張榮與北京大學(xué)物理學(xué)院教授，北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任、中國物理學(xué)會發(fā)光分會理事張國義領(lǐng)銜擔(dān)任召集人，匯聚全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導(dǎo)體電力電子器件的盛會。

       在16日上午的報告環(huán)節(jié)中，將邀請美國弗吉尼亞理工大學(xué)教授，美國工程院院士Fred C.LEE和中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢作報告。

 

　　Fred C.LEE教授指出，在功率電子產(chǎn)品的生產(chǎn)中，必須考慮品質(zhì)和可靠性，重點是實現(xiàn)高效率、高功率密度和低成本。這個領(lǐng)域未來的發(fā)展將會與功率器件、材料和制造技術(shù)的進展緊密相關(guān)。隨著寬帶隙功率器件的最新進展，交換器的產(chǎn)生將會在很大程度上影響以上三個方面。

 

　　對于任何設(shè)計，如果簡單地用WBG替換硅器件，將會獲得效率的提高。盡管這是一個很大的貢獻，但是僅僅停留于此對WBG不公平。WBG器件能夠在更高頻率下工作。因此，可以采用WBG將器件尺寸降低5-10倍，并且在一些應(yīng)用中已經(jīng)實現(xiàn)。設(shè)計與現(xiàn)有的硅器件相比，轉(zhuǎn)換頻率為10X，20X甚至50X的轉(zhuǎn)換器，是充滿挑戰(zhàn)性的。某些這種的設(shè)計不僅能夠提高性能，并且能夠在生產(chǎn)中減少勞動量。

 

　　孫錢博士將在會議上報告生產(chǎn)p-GaN gate HEMTs的器件特性。目前公認(rèn)的CaN基功率器件最有前景的商業(yè)化方式是直接生長在低成本大直徑的硅片上。孫博士指出采用多層AlN/AlGaN來克服在Si上生長無縫的高品質(zhì)Ga(Al)N時產(chǎn)生的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的嚴(yán)重失配，對高阻抗的Ga(Al)N進行碳摻雜與其電擊穿特性的相關(guān)性。

 

　　對于GaN基功率器件的實際應(yīng)用，增強模HEMT能夠有效地避免失效，并且簡化電路。由于技術(shù)手段的不足，p-GaN門的生產(chǎn)通常不采用HEMT。為有效控制閾值電壓，并且降低2DEG特性的退化，對p-GaN進行有效的Mg摻雜，并且減小擴散。在非門區(qū)域?qū)-GaN層進行刻蝕，有很好的一致性。

 

　　作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅因其出色的物理及電特性，正越來越受到產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。超強的陣容組合，加上高質(zhì)量的內(nèi)容，本次分會將全方位呈現(xiàn)當(dāng)前碳化硅電力電子器件的研究進展，有哪些趨勢？……相信你想知道的，都會有答案。請繼續(xù)關(guān)注論壇“精彩早知道”系列！

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　　參會報名、參會聯(lián)系人

 

　　張小姐 M：13681329411 T：010-82387380  E：zhangww@china-led.net

 

　　賈先生 M：18310277858 T：010-82387430  E：jiaxl@china-led.net

 

　　許先生 M：13466648667  T：010-82381680  E：xujh@china-led.net

 

　　第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2016）活動官網(wǎng)：http://www.sslchina.org

 

　　2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導(dǎo)體國際會議（IFWS）活動官網(wǎng)：http://www.ifws.org.cn