公司發(fā)布2017 年半年度業(yè)績預告,預計盈利1.32 億元—1.42 億元,較上年同期增長35%-45%。

 

　　IDM 模式助推功率半導體器件龍頭企業(yè)持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展:公司全產(chǎn)業(yè)鏈布局,集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體,采用“揚杰+MCC”營銷戰(zhàn)略,鞏固領先地位,IDM 模式鑄就高壁壘。產(chǎn)品包括芯片、二極管、整流橋和功率模塊等,公司下游涵蓋電源管理、汽車電子、照明、光伏、智能電網(wǎng)、白色家電等眾多領域。受益于光伏行業(yè)的逐步回暖以及汽車電子、軌道交通和電力電網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)景氣。公司內(nèi)生與外延兼顧,技術與渠道并舉。縱觀全球的半導體產(chǎn)業(yè),fabless 主要集中在遵循摩爾定律的標準化數(shù)字邏輯芯片。而功率管、整流器等分立器件則是IDM模式,公司的IDM 模式由產(chǎn)品需求決定,是符合發(fā)展規(guī)律的。

 

　　產(chǎn)線迭代+工藝積累, 募投項目實現(xiàn)產(chǎn)品升級: 整流二極管-MOSFET-IGBT 在結構和技術上有一定的繼承性,故在制造工藝上相互間也有一定的借鑒意義,公司先在傳統(tǒng)優(yōu)勢整流二極管上積累經(jīng)驗,逐步推進至MOSFET 和IGBT,戰(zhàn)略規(guī)劃由4 英寸、6 英寸過渡到8英寸,穩(wěn)扎穩(wěn)打積累經(jīng)驗。從4 英寸-6 英寸-8 英寸產(chǎn)線的迭代,到二極管-MOSFET-IGBT 工藝的積累,都可以看到公司在戰(zhàn)略層面思路清晰,技術路線規(guī)劃明確。公司業(yè)績將在未來延續(xù)高增長的勢頭。

 

　　碳化硅等材料引領未來,硅基龍頭具備領先優(yōu)勢:以碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導體材料已經(jīng)成為了功率器件的主流發(fā)展方向,用碳化硅材料可以大幅提升功率器件的各項性能,拓寬器件的工作環(huán)境范圍,實現(xiàn)系統(tǒng)的小型輕量化,并且有助于降低系統(tǒng)成本。根據(jù)賽迪咨詢預測,到2022 年,其市場規(guī)模將達到40 億美元,年平均復合增長率可達到45%。緊隨國際大廠布局,公司作為國內(nèi)硅基器件龍頭未來有望彎道超車。公司公告指出,公司目前SiC 業(yè)務已接收訂單,開始進入銷售階段。目前國內(nèi)新能源汽車發(fā)展迅速,預計將成為未來碳化硅市場的主要增長點,公司積極布局新材料器件,有望在新風口到來之時揚帆遠航。

 

　　投資建議:買入-A 投資評級,6 個月目標價28.9 元。僅考慮內(nèi)生發(fā)展,我們預計公司2017 年-2019 年的收入增速分別為42.0%、35.0%、30.0%,凈利潤增速分別為56.1%、35.6%、30.6%,每股收益分別為0.67 元、0.90 元、1.18 元。

 

　　風險提示:功率半導體國產(chǎn)替代不達預期,全球經(jīng)濟發(fā)展不達預期,SiC 發(fā)展不達預期