①   鞏固已有產品在消費電子和民用市場的優勢，積極推進拓展軌道交通、電力電網、汽車電子（含新能源汽車）、以及軍工領域，持續實現市場擴容和產品附加值提升。

 

　　②   IDM發展模式注重工藝積累，過去幾年為功率半導體器件升級夯實基礎，在保持大功率二級管整流橋優勢的前提下，已對MOSFET進行了充分儲備并取得突破，未來積極研發和布局IGBT產品，相對傳統業務開拓更大市場空間和更高產品附加值領域，更能滿足客戶多樣化需求，符合國際大廠發展Si基功率半導體的趨勢。

 

　　③  堅持內生+外延發展戰略，前瞻把握并積極落地第三代功率半導體等新材料器件，近幾年公司外延戰略從產品到渠道，均取得積極且穩健的發展格局，2017年1月25日聯合建廣資產（其完成恩智浦NXP兩部分資產收購，18億美元的RF Power部門和27.5億美元的標準件業務）控股廣盟半導體，即間接參股瑞能半導體獲得高功率轉換器件先進技術，并獲得穩定的SiC芯片供應渠道，在公司原有SiC封裝基礎上實現一體化模式，有利于SiC銷售和推廣。與建廣資產的初步合作，或將給公司功率半導體業務帶來做大做強的寶貴協同機會。在功率半導體細分行業競爭中，公司已有產業格局和融資平臺優勢逐步顯現，預計未來內生和外延并重的戰略，迎來持續快速發展機遇。

 

　　■產線迭代+工藝積累，募投項目實現產品升級：整流二極管-MOSFET-IGBT在結構和技術上有一定的繼承性，公司先在傳統優勢整流二極管上積累經驗，逐步推進至MOSFET和IGBT，戰略規劃由4英寸、6英寸過渡到8英寸，穩扎穩打積累經驗。從4英寸-6英寸-8英寸產線的迭代，到二極管-MOSFET-IGBT工藝的積累，都可以看到公司在戰略層面思路清晰，技術路線規劃明確。