簡訊：8月10，歷經兩年的精心籌備，第二屆全國寬禁帶半導體學術會議在西寧萬達嘉華酒店盛大開幕。本屆會議由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會和中國電子學會電子材料學分會主辦，廣東省科學院、廣東省半導體產業技術研究院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟承辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司協辦。
大會主席、北京大學教授張國義, 廣東省科學院副院長劉敏, 大會主席、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長吳玲, 中國有色金屬學會理事長賈明星先后為大會致開幕詞。北京大學沈波教授主持開幕式，與來自全國各地各大科研機構、高校、名企500余名參會代表出席本次會議。
在大會特邀報告環節，中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓分享了“寬禁帶半導體的發展新動向”專題報告；中國電子科技集團第十三研究所研究員蔡樹軍分享了“GaN微波器件最新進展”主題報告；浙江大學教授盛況帶來了“碳化硅電力電子器件研究新進展”報告；中科院物理所研究員陳小龍則帶來了“寬禁帶碳化硅半導體材料研究及產業化”主題報告；山東大學晶體材料國家重點實驗室主任陶緒堂教授帶來了“寬禁帶半導體晶體材料與器件研究進展”。
在為期三天的密集學術報告里，火熱的話題、強大的嘉賓團加上高質量的內容，為本屆會議凝聚了超高的人氣，大會不僅收到了大批高質量的論文。根據大會日程，開、閉幕大會特邀報告環節，各設置了五大特邀報告。期間，還安排了兩場深度對話討論，一是對深紫外光電材料與器件發展趨勢討論，二是對寬禁帶半導體電子器件發展趨勢進行討論。
同時，還設置5個分會場，邀請了135個主題報告。圍繞材料生長、材料物性表征及仿真、LED及照明技術電力電子器件、激光器、深紫外器件、激光器、其它寬禁帶半導體材料與器件等不同主題進行前沿研究分享和深度交流。從大會報告內容設置來看，圍繞第三代半導體的前沿發展、技術應用、產業化等多個維度都有重量級的報告呈現。既有寬禁帶半導體的發展新動向，亦有碳化硅、氮化鎵材料，以及器件等的最新研究進展及發展方向，多維度呈現寬禁帶半導體領域的最新動態。并將以開闊的視野展現寬禁帶半導體領域的現在與未來。
