以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料憑借其寬禁帶、高熱導率、高擊穿電場、高抗輻射能力等特點，市場應用潛力巨大。預計到2020年，第三代半導體技術應用將在節能減排、信息技術、國防三大領域催生上萬億元潛在市場，而碳化硅和氮化鎵器件很可能成為推動整個電力電子、光電子和微波射頻三大領域效率提升和技術升級的關鍵動力之一。第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應用潛力巨大，這一特定領域的突破也標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。

 

　　2017年11月1-3日，在科技部、發改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和北京市順義區人民政府主辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）將在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。并與SSL國際系列論壇在中國地區的年度盛會--第十四屆中國國際半導體照明論壇同期同地舉行。

 

　　大會圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用，設置了包括第三代半導體與固態紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。

 

　　其中，第三代半導體與微波射頻技術分會主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信中的應用等各方面，邀請國內外知名專家參加會議，呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。

 

　　中國電子科技集團公司第十三研究所副所長、研究員級高工蔡樹軍和蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千將共同擔任分會主席。蔡樹軍主要研究領域為硅，砷化鎵和氮化鎵等新型材料器件和電路。張乃千于2007年回國創辦能訊半導體并任總裁。能訊是中國首家第三代半導體氮化鎵電子器件設計與制造商業企業，自主進行氮化鎵外延生長、晶圓制造、內匹配與封裝等。

 

　　同時分會委員團吸納中科院微電子研究所副所長劉新宇、中興通訊股份有限公司總工劉建利、西安電子科技大學教授張進成、荷蘭安譜隆有限責任公司晶圓級可靠性專家陶國橋等眾多行業優秀專家，為分會提供堅實的支持。

 

　　此外，內容豐富的報告也是看點，其中英國布里斯托大學教授兼設備熱成像和可靠性中心主任Martin KUBALL將從國際視角分享其最新研究成果，Martin Kuball當下在英國領導的項目是關于開發超高功率金剛石基氮化鎵射頻（GaN-on-Diamond RF）電子設備。還有來自中國電子科技集團等國內外相關領域專家分享各自的研究成果，非常值得期待。

 

　　最新進展，更多信息，論壇君將持續跟蹤“爆料”，敬請關注中國半導體照明網。