第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。有數據顯示，紫外線LED應用于光固化市場產值2021年將達1.95億美元，2020年紫外線LED光固化模組的滲透率將來到50~60%。紫外LED殺菌與凈化應用的市場產值2021年將達2.57億美元。應用的發展離不開技術的支撐，第三代半導體又將如何擁抱固態紫外市場？
2017年11月3日上午，在科技部、發改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和北京順義區人民政府主辦的2017國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）之第三代半導體固態紫外器件技術分會在北京·順義·首都機場希爾頓酒店成功舉行。中國電子科技集團第十三研究所、專用集成電路重點實驗室為本次分會提供了協辦支持。
分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。
日本理化學研究所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大學教授三宅秀人、北京大學副教授許福軍、中科院半導體研究所研究員張韻、華中科技大學教授陳長清、南京電子器件所工程師LUO Weike、中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。北京大學物理學院教授、理學部副主任沈波和南京大學教授陸海共同主持了本屆分會。
日本理化學研究所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA分享了高效率AlGaN深紫外LED的研究進展。日本三重大學教授三宅秀人做了“高溫退火濺射AlN薄膜質量改善工藝研究”的報告，分享最新研究成果。
北京大學副教授許福軍帶來關于納米圖案藍寶石基板生長高質量的AlN和AlGaN量子阱的報告。中科院半導體研究所研究員張韻做了納米圖案AlN/藍寶石模板上AlGaN深紫外LED和AlGaN/AlN激光器光提取的報告，分享了關于深紫外LED的光提取增強、深紫外發光二極管濺射AlN模板、AlGaN／AlN激光納米圖案化的AlN模板等研究成果。
華中科技大學教授陳長清做了用于深紫外LED的高質量AlN和AlGaN 外延層的MOCVD生長的報告。
紫外激光器具有復雜的結構和更高的電流密度對半導體材料也提出了更高的要求。沙特國王科技大學助理教授李曉航做了“基于藍寶石和B-III-N合金的III族氮化物深紫外激光器”的報告，分享了關于深紫外激光器的研究成果。中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒分享了具有倒反疇界的紫外LED的界面控制與發光研究。
