2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，IFWS 2017之“超寬禁帶半導體及其它新型半導體材料”分會如期舉行。分會重點關(guān)注超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導體器件應用，聚焦超寬禁帶半導體材料及器件應用發(fā)展的新技術(shù)、新應用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發(fā)展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA、廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川，西安交通大學教授王宏興，中國科學院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學教授陶緒堂，鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新，河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋等來自國內(nèi)外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學院院士劉明與廈門大學校長、南京大學教授張榮共同主持了本屆分會。
 

 

　　會上，河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應晶體管的射頻功率性能評價的報告，結(jié)合相關(guān)的試驗數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設(shè)備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。