2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，“超寬禁帶半導體及其它新型半導體材料”分會如期舉行。分會重點關注超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用，聚焦超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新應用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA，廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川， 西安交通大學教授王宏興，中國科學院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學教授陶緒堂，鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新，河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋等來自國內外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學院院士劉明與廈門大學校長、南京大學教授張榮共同主持了本屆分會。

 

　　會上，中國科學院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) β-Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。基于β型氧化鎵所生產的一些器件在能源使用中發揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題，在自然能源不斷減少，價格不斷上升的背景下，我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應用領域，包括高鐵和智能電網等，硅仍然是主導材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。

 

　　β型氧化鎵具有禁帶寬度寬，兼容性比較長，同時熱傳導性也非常有優勢。功率器件很多情況下是可以使用氧化鎵的。在使用寬禁帶材料的時候，可以大大縮小器件的體積，并且可以增加運行的頻率，承受更高的電壓、電流和產出功率。

 

　　報告中，結合具體的實驗過程，龍世兵介紹了目前其團隊在肖特基二極管設備方面使用β型氧化鎵的研究成果。他表示，功率電極管與晶體管是相互依存的，可以用于肖特基二極管等，制造過程中需要100的速率，肖特基二極管表現出了非常好的性能。