2018年10月23-25日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦的第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。
10月24日下午，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會如期舉行，分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。
美國Crystal IS.聯(lián)合創(chuàng)始人Leo SCHOWALTER，中科院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任王軍喜，華中科技大學(xué)教授陳長清，北京大學(xué)副教授許福軍，三重大學(xué)助理教授永松謙太郎，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學(xué)教授黃凱，中南大學(xué)教授汪煉成，南京大學(xué)蘇琳琳等中外同行專家?guī)砭蕡蟾妫⒎窒砀髯缘淖钚卵芯砍晒B門大學(xué)教授康俊勇，中科院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。
高質(zhì)量（TDD低于105 cm2）的兩英寸直徑的氮化鋁（AlN）襯底現(xiàn)已可用于生產(chǎn)UVC LED（波長小于280 nm）。最近一些研究小組開始開發(fā)研究波長小于240nm的UVC LED，美國Crystal IS.聯(lián)合創(chuàng)始人Leo SCHOWALTER帶來了“短波紫外（UVC ）LED：氮化鋁襯底的優(yōu)勢”的報告，分享了在短波長處獲得高性能UVC LED的研究進展和成果，他表示，這些c面氮化鋁襯底對于短波長的UVC發(fā)光二極管具有吸引力，因為基體中的低缺陷密度，加上鋁極性表面上的假外延生長，使得高含量的鋁含量器件層具有同樣低的TDD。這些c面氮化鋁襯底對于制造短波長UVC LED很有吸引力，因為襯底中的低缺陷密度與鋁極性面上的假晶外延生長相結(jié)合，使得具有低TDD的高鋁含量器件層成為可能。 與使用藍(lán)寶石等其他襯底的UVC LED器件制造技術(shù)相比，這種AlGaN/AlN技術(shù)在265nm波長表現(xiàn)出了優(yōu)越性能和高產(chǎn)率，是消毒應(yīng)用的最佳選擇。波長越短，假晶AlGaN / AlN技術(shù)的優(yōu)勢更突出。
最近，有研究小組開始開發(fā)研究波長小于240nm的UVC LED。這些短波長LED有幾個有趣的商業(yè)應(yīng)用，包括監(jiān)測水中的硝酸鹽含量、排放氣體中的NOx和SOx、DNA純度分析和高性能液相色譜(HLPC)等。這些器件需要更高濃度的鋁，這改善了與AlN襯底的晶格匹配，并允許生長非常高質(zhì)量的外延層。AlN的能帶(大于6eV)使得可以制造波長210nm左右的LED器件。 然而，在高鋁濃度下實現(xiàn)良好的導(dǎo)電性和電接觸越來越困難。此外，高鋁濃度的e-h重組產(chǎn)生的光子傾向于垂直c軸傳播，這使得c面襯底光子出射存在問題(TM極化問題)。
Leo SCHOWALTER表示，盡管存在這些問題，我們?nèi)阅軌蛟?35nm波長處獲得高性能UVC LED。正向電壓通常小于6V，即使我們采用高鋁摩爾分?jǐn)?shù)，與之前相比也是非常低的。20mA時，UVC LED在238 nm和235 nm波長處的輸出功率分別為0.5mW和0.4mW，這是在沒有特別輔助提高光子出射下獲得的。這些器件的使用壽命超過1000小時。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
