2018年10月23-25日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦的第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心舉行。

 

　　10月24日下午，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會(huì)如期舉行，分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測(cè)材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測(cè)器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。

 

　　美國(guó)Crystal IS.聯(lián)合創(chuàng)始人Leo SCHOWALTER，中科院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任王軍喜，華中科技大學(xué)教授陳長(zhǎng)清，北京大學(xué)副教授許福軍，三重大學(xué)助理教授永松謙太郎，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學(xué)教授黃凱，中南大學(xué)教授汪煉成，南京大學(xué)蘇琳琳等中外同行專家?guī)?lái)精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。廈門大學(xué)教授康俊勇，中科院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會(huì)。

 

　　AlGaN基深紫外LED吸引了人們?cè)絹?lái)越多的注意，因?yàn)槠湓跉⒕畠艋つw病治療，生物探測(cè)等方面有著潛在的應(yīng)用前景。由于藍(lán)寶石襯底和AlGaN材料之間存在著很大的晶格失配和熱失配，因而，多量子阱有源區(qū)的生長(zhǎng)伴隨著較高的位錯(cuò)密度，這導(dǎo)致更多非輻射復(fù)合的發(fā)生從而只能獲得較低的內(nèi)量子效率。所以，AlGaN基的深紫外LED目前仍未普及應(yīng)用的主要原因是受限于其較低的量子效率。

 

　　華中科技大學(xué)教授陳長(zhǎng)清帶來(lái)了深紫外DUV-LED發(fā)光效率的提升策略的報(bào)告，結(jié)合具體的研究過(guò)程，他表示研究實(shí)現(xiàn)了在納米圖形化襯底上生長(zhǎng)無(wú)裂紋的厚膜AlN層，納米圖形化襯底的實(shí)現(xiàn)是通過(guò)步進(jìn)光刻機(jī)和ICP的刻蝕，其圖案可以得到良好的控制和重復(fù)。AlN外延層的厚度可超過(guò)10微米，表面達(dá)到了原子級(jí)的平整。X射線衍射測(cè)量的（0002）和（1012）面的半高寬分別為165和185弧秒，這表明AlN外延層有著很好的晶體質(zhì)量，從而可改善LED的內(nèi)量子效率。此外，深紫外LED芯片內(nèi)部的全反射會(huì)嚴(yán)重影響光提取效率和外量子效率。此外，在藍(lán)寶石背面制備的蛾眼微結(jié)構(gòu)能有效改善深紫外LED的光提取效率和外量子效率。

 

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