2018年10月23-25日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦的第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心舉行。
10月24日，“汽車照明與汽車電子”產(chǎn)業(yè)峰會(huì)如期召開，本屆峰會(huì)由廣東晶科電子股份有限公司協(xié)辦。廣東晶科電子股份有限公司董事長(zhǎng)肖國(guó)偉、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山、精進(jìn)電動(dòng)科技股份有限公司創(chuàng)始人蔡蔚共同主持了本屆分會(huì)。會(huì)上，來自高校科研機(jī)構(gòu)、檢測(cè)不同環(huán)節(jié)的專家齊聚，圍繞著LED汽車照明光源封裝，車燈模組以及整車應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈，從各自專業(yè)的角度展開了深入的交流。
門極驅(qū)動(dòng)是電力電子變換裝置中信號(hào)控制能量的橋梁和紐帶，是集弱電和強(qiáng)電功能的重要部件。其功能是驅(qū)動(dòng)、監(jiān)測(cè)和保護(hù)作為功率開關(guān)的IGBT、SiC-MOSFET器件。青銅劍科技副總裁兼總工程師高躍做了題為“車用IGBT及SiC的門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)”的報(bào)告。結(jié)合汽車驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的不同要求以及研究實(shí)踐，介紹了車用門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)、SiC-MOS門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)等的現(xiàn)狀，并呈現(xiàn)了IGBT與SiC驅(qū)動(dòng)技術(shù)目前的進(jìn)展。其中，SiC-MOS門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)中SIC功率器件具有低損耗、高頻率、高溫度等優(yōu)勢(shì)，SiC功率器件應(yīng)用中具有更高的開關(guān)頻率、減少體積、提高功率密度；SiC的電阻損耗特性、降低輕載時(shí)的損耗，減少體積、降低冷卻要求等優(yōu)勢(shì)。SiC功率器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)有諸多設(shè)計(jì)要點(diǎn)，比如器件上低閾值、低負(fù)壓耐受、低短路耐受易誤導(dǎo)通門極擊穿驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。整機(jī)上，高dv/dt、高di/dt，容易影響瞬時(shí)震蕩、電磁干擾、電壓過沖、絕緣壽命等。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
