本屆大會由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟支持，國宏中宇科技發(fā)展有限公司與北京高威科電氣技術(shù)股份有限 公司協(xié)辦。本屆大會以形成研究機構(gòu)、設(shè)備、生產(chǎn)及應(yīng)用企業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新機制，突破共性技術(shù)難題為主要目的，提升我國第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)的技術(shù)能力，  故邀請產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代表共同深入研討。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山；中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長陸敏；北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司常務(wù)副總經(jīng)理彭同華；湖南大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，國家高效磨削工程技術(shù)研究中心副主任尹韶輝；中科院半導(dǎo)體所研究員楊少延；大連理工大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，精密特種加工與微制造教育部國防重點實驗室主任康仁科；中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司副總裁郭世平；清華大學(xué)助理研究員、華海清科副總經(jīng)理王同慶；北京高威科電氣技術(shù)股份有限公司董事長張潯；中電科13所重點實驗室副主任房玉龍；中電科55重點實驗室高工、副主任設(shè)計師李赟；中科鋼研節(jié)能科技有限公司副總經(jīng)理趙然；中國電子科技集團公司第二研究所高工徐偉；河北同光晶體有限公司，副總工程師崔景光；瑞士微金剛中國區(qū)技術(shù)顧問師強；河南科技大學(xué)材料學(xué)院教授許榮輝；濟南力冠電子科技有限公司技術(shù)部長姜良斌；無錫邑文電子科技有限公司總經(jīng)理廖海濤 ；北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限責(zé)任公司SiC高溫爐產(chǎn)品經(jīng)理李旭剛等專家及相關(guān)領(lǐng)域約140位代表參加了本次會議。

會議一共17個專家報告，分別來自大學(xué)、科研院所和企業(yè)。報告覆蓋了第三代半導(dǎo)體（SiC和GaN）材料的生長、加工的工藝、自動化管理、標準和裝備等多個方面，使與會者對第三代半導(dǎo)體材料加工技術(shù)及裝備的現(xiàn)狀和未來發(fā)展有了更進一步的了解。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山主持了大會開幕式。介紹了會議背景以及在場嘉賓。

研討會上半場，8位嘉賓分享了各自精彩的報告，8位嘉賓從各自的研究方向?qū)w生長、劃切與拋光工藝、加工質(zhì)量與外延缺陷分析分享了自己的感受。彭同華常務(wù)副總經(jīng)理做了主題為“碳化硅晶體生長、加工技術(shù)和裝備”的報告。尹韶輝教授分享了題為“半導(dǎo)體材料劃切工藝及裝備技術(shù)”的報告。 楊少延研究員做了題為“中高壓氮化鎵功率電子器件制備生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)及設(shè)備”的報告。康仁科教授做了題為”氮化鎵晶片的光電化學(xué)機械拋光加工“的報告。郭世平副總裁分享了題為“第三代半導(dǎo)體材料外延生長裝備現(xiàn)狀及展望”的報告。王同慶總經(jīng)理做了題為“華屋建瓴，清流永進--拋光裝備國產(chǎn)化之路“的報告。房玉龍博士任作了題為“晶片加工質(zhì)量對于生長高質(zhì)量氮化鎵晶體的影響“的報告。李赟博士做了題為“鏡片加工質(zhì)量對高質(zhì)量碳化硅同質(zhì)外延層的影響”的報告。

聯(lián)盟秘書長于坤山聽取大家發(fā)言后表示，非常感謝大家能有統(tǒng)一的認知，愿意共同努力推進中國第三代半導(dǎo)體的發(fā)展。聯(lián)盟愿意為大家提供溝通交流的平臺，組織大家一起就某一領(lǐng)域或某些技術(shù)展開深入合作。隨后于秘書長提出了’關(guān)于建立碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料公共驗證平臺的倡議’，倡議得到在場嘉賓的廣泛認可。

下午的會議上，9位報告嘉賓繼續(xù)就第三代半導(dǎo)體材料加工及裝備技術(shù)進行了精彩報告，大家圍繞自己公司的業(yè)務(wù)進展、技術(shù)瓶頸、合作期望進行了闡述，并就裝備智能化和標準建設(shè)等方面提出具有特色和創(chuàng)新性的思路。下午的研討會由中科鋼研節(jié)能科技有限公司副總經(jīng)理趙然主持。

首先中科鋼研碳化硅實驗室加工部部長王錫銘做了“碳化硅襯底制備技術(shù)現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢及工藝研究”的開場報告。徐偉博士做了“高純半絕緣碳化硅的精密加工”的報告。河北同光崔景光副總工程師做了“碳化硅襯底加工工藝研究”的報告。瑞士微金剛師強做了“多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應(yīng)用及其關(guān)鍵工藝技術(shù)”的報告。河南科技大學(xué)許榮輝教授分享了“碳化硅襯底拋光與一種精拋料”的報告。濟南力冠姜良斌部長做了“第三代半導(dǎo)體材料生長裝備與工藝自動化”的報告。高威科益云信息系統(tǒng)高麗峰總監(jiān)分享了“第三代半導(dǎo)體材料加工設(shè)備及其智能化”的報告。北方華創(chuàng)李旭剛經(jīng)理做了“SiC器件高溫?zé)崽幚碓O(shè)備國產(chǎn)化進展”的報告。無錫邑文廖海濤總經(jīng)理分享了“半導(dǎo)體二手設(shè)備市場評估與翻新標準化” 的報告。