為了表彰和宣傳在我國第三代半導體事業中做出顯著業績和突出貢獻的青年典型，用卓越青年的精神激勵、教育和引導第三代半導體行業青年進一步開拓創新，聯盟青年創新促進委員會在科技部及聯盟的支持和指導下，自2016年起已開展了三屆 “第三代半導體卓越青年”評選活動，取得了良好的帶動效應。為了更好的對接國家人才計劃，為國家中青年拔尖人才、科技創新創業領軍人才推薦第三代半導體領域的優秀人才，同時對接國家青年項目，推薦入選第三代半導體卓越青年的人才承擔或參與相關國家計劃項目，第四屆“CASA第三代半導體卓越青年”評選于2019年9月正式啟動。
本屆活動自開展以來，受到社會各界的廣泛關注和廣大青年的積極響應。根據評選規則和嚴格的專家評審，遴選產生了前5名獲獎人員，現將第四屆“CASA第三代半導體卓越青年”獲獎人員進行公示。
公示期為五天。如有任何問題請與聯盟秘書處聯系，聯系電話：010-82388680。秘書處郵箱：casa@casa-china.cn
第四屆“CASA第三代半導體卓越創新青年”獲獎人員名單
和巍巍,博士,深圳基本半導體有限公司總經理，國家萬人計劃專家，中國半導體行業協會理事。和巍巍博士本科于清華大學電機系，博士畢業于劍橋大學獲工程系。主要研究方向為功率半導體器件IGBT及碳化硅MOSFET的仿真、設計、制造及應用，獲得英國發明專利授權1項、美國發明專利授權1項、中國專利授權20余項，在國際著名期刊和會議上發表了多篇論文。和巍巍博士擔任深圳清華大學研究院第三代半導體研發中心副主任、中國電源學會青年工作委員會秘書長等職務。和巍巍博士曾獲得2017年深圳市科學技術獎（專利獎）、2018年國家科技創新創業人才、2019年中國專利優秀獎等獎項。
孫曉娟，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所副研究員，博士，博士生導師，優秀青年基金獲得者。主要從事寬禁帶半導體材料與器件研究，尤其是AlGaN基光電子材料生長及器件研究。作為項目負責人承擔國家自然科學基金項目、國家重點研發計劃子課題等項目10余項。在Light:Science & Applications,Applied Physics Letters等期刊發表SCI論文40余篇，申請/授權發明專利30余項，榮獲吉林省科技成果獎一等獎，中國科學院青年創新促進會會員，擔任Scientific Reports、ACS等學術期刊審稿人。
汪煉成，中國科學院半導體研究所物理電子學博士，中南大學特聘教授，博士生導師，中南大學微電子科學與工程系副主任。先后在中科院半導體所, 新加坡南洋理工大學，新加坡科技大學和英國謝菲爾德大學從事博士和博士后研究工作，科研方向為集成寬禁帶半導體器件和系統，在GaN LED 方面有近10年科研經歷，近5年以第一/通訊作者發表SCI論文40余篇，引用次數744次，申請專利38項，已授權13項，成功制備性能國內領先、國際一流垂直結構LED，開拓了石墨烯透明電極在LED中應用。自2017年回國在中南大學建設了第三代半導體平臺和團隊，致力于次世代GaN LED、高溫高功率IGBT模塊封裝和可靠性方面研究。工作數次被專業媒體如Compound Semiconductor、Semiconductor Today 報道，獲最佳年輕研究人員（英國物理協會，SST,2018）、湖湘高層次創新人才等榮譽和獎勵。
許晟瑞, 西安電子科技大學教授、博士生導師。博士畢業于西安電子科技大學微電子學與固體電子學專業,2011年留校工作，2017年破格晉升教授、博導。長期從事寬禁帶半導體材料與器件的研究,在Nano Letters，Applied Physics Letters,Journal of Applied Physics等期刊發表相關領域的論文100余篇。研究成果獲得2011年，2014年陜西省科學技術一等獎和2017年教育部技術發明一等獎。主持國家自然科學基金項目、國家重點研發計劃子課題項目、陜西省重點產業鏈項目等課題，參與國家科技重大專項等多項國家重點課題。
張志國，博士、博士后、研究員，北京國聯萬眾半導體科技有限公司副總經理,具有十五年寬禁帶半導體研發、生產和管理經歷，是國內較早在此領域開展研究人員之一。牽頭建立了國內首個GaN微波功率器件工藝技術研發平臺，編寫了國內首套研發工藝和檢驗規范。基于此平臺后續研制的GaN微波功率器件和芯片產值超億元。研制出國內第一支瓦級GaN HEMT器件，第一支X波段GaN MMIC芯片，為后續規模應用奠定工藝和理論基礎。開發了國內首個X波段GaN MMIC工程化產品，形成詳細規范并在系統中進行驗證和試用。先后承擔和參與十幾項國家重大專項、北京市重大項目等，發表論文四十余篇。作為專家參與多項國家級和北京市寬禁帶半導體規劃工作。
