2019年11月24日，2019國際第三代半導(dǎo)體研修班正式開班，來自第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的3位國際知名專家就碳化硅、氮化鎵的最新技術(shù)進(jìn)展、應(yīng)用進(jìn)行了詳細(xì)透徹的講解，國內(nèi)90余位產(chǎn)業(yè)鏈上下游的產(chǎn)業(yè)技術(shù)負(fù)責(zé)人、科研院所和高校研究人員以及在校博士、研究生到會學(xué)習(xí)。
此次國際研修班由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)共同組織。目的是為了快速培養(yǎng)一批培養(yǎng)適應(yīng)國內(nèi)外行業(yè)發(fā)展，具有國際視野，掌握扎實(shí)的理論基礎(chǔ)，具備良好半導(dǎo)體器件分析能力，在第三代半導(dǎo)體制造工藝、封裝測試和設(shè)計方面具有創(chuàng)新精神和綜合競爭力的高素質(zhì)復(fù)合人才。
授課現(xiàn)場
此次國際研修班由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)共同組織。目的是為了快速培養(yǎng)一批培養(yǎng)適應(yīng)國內(nèi)外行業(yè)發(fā)展，具有國際視野，掌握扎實(shí)的理論基礎(chǔ)，具備良好半導(dǎo)體器件分析能力，在第三代半導(dǎo)體制造工藝、封裝測試和設(shè)計方面具有創(chuàng)新精神和綜合競爭力的高素質(zhì)復(fù)合人才。
上午平行進(jìn)行北卡羅來納州立大學(xué)客座教授Q. Jon Zhang講授的《碳化硅功率器件的設(shè)計、工藝與應(yīng)用》以及Transphorm公司高級副總裁Yifeng Wu講授的《GaN功率器件的技術(shù)、性能、可靠性及應(yīng)用》兩場培訓(xùn)。張教授的講座從功率碳化硅器件的類型出發(fā)，聚焦碳化硅MOSFET的設(shè)計和工藝，最后分享了碳化硅器件未來發(fā)展的趨勢展望。吳博士的講座涵蓋了氮化鎵器件的設(shè)計、可靠性以及應(yīng)用等方面的內(nèi)容，分析了氮化鎵器件及應(yīng)用大規(guī)模市場化的時間拐點(diǎn)。
授課現(xiàn)場
下午進(jìn)行荷蘭屯特大學(xué)教授Bram Ferreira《第三代半導(dǎo)體在電力電子系統(tǒng)應(yīng)用中的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。 Ferreira教授從器件級集成、板級集成和系統(tǒng)級集成三個方面闡述了隨著第三代半導(dǎo)體在電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用所帶來的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。
第三代半導(dǎo)體材料是支撐新一代信息技術(shù)、節(jié)能減排和智能制造的“核芯”，在消費(fèi)電子、工業(yè)驅(qū)動、農(nóng)業(yè)機(jī)械、電力傳輸、軌道交通與軍事應(yīng)用等眾多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。作為國家專項(xiàng)部署的重要內(nèi)容之一，人才短缺是目前阻礙第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要瓶頸。
此次培訓(xùn)邀請國際資深專家授課，主要課程包括碳化硅、氮化鎵材料與器件、工藝、封裝、測試及應(yīng)用技術(shù)等，以研發(fā)實(shí)際中遇到的問題及最新解決思路及方案為主要培訓(xùn)內(nèi)容；培訓(xùn)方式以專業(yè)講授、互動討論為主，培訓(xùn)內(nèi)容切合企業(yè)需求，對于開拓學(xué)員視野、深度把握國際最新前沿非常有利。
此次培訓(xùn)邀請國際資深專家授課，主要課程包括碳化硅、氮化鎵材料與器件、工藝、封裝、測試及應(yīng)用技術(shù)等，以研發(fā)實(shí)際中遇到的問題及最新解決思路及方案為主要培訓(xùn)內(nèi)容；培訓(xùn)方式以專業(yè)講授、互動討論為主，培訓(xùn)內(nèi)容切合企業(yè)需求，對于開拓學(xué)員視野、深度把握國際最新前沿非常有利。
